• 5月15日,在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星表示,未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。...
  • 日前,紫光宏茂宣布实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产,这标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现重大突破,助推紫光构建存储芯片完整产业链。...
  • 日前,存储芯片大厂三星正式宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。 众所周知,目前全球主要的3D NAND Flash 大厂,包括三星、SK 海力士、东芝、美光等,都已...
  • 中国正在加快半导体芯片国产化,2018年底或将开始提供具有自主知识产权的3D NAND闪存芯片。...
  • 据韩国媒体报道,为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求,Intel正在与中国紫光集团谈判,授权其生产64层3D NAND闪存。...
  • 就在西部数据 (Western Digital ) 与日本半导体大厂东芝 (Toshiba) 就出售半导体部门,给予贝恩资本 (Bain Capital) 所领军的美日韩联盟一事达...
  • 近年来,中国在半导体领域的发展可谓是突飞猛进。随着国产智能手机的崛起,国产芯片也取得了出色的成绩,特别是在核心的处理器和通讯芯片上。但是,在存储芯片领域,中国的发展相对滞后,这...
  • 3D-NAND内存自从2013年8月以来已经成功地投入市场。虽然,3D-NAND仍然比平面NAND更昂贵,但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND。但这...
  • 近日据外媒报道,美光台湾桃园2号工厂7月1号遇到了停机事故(不少说法称是氮气分配系统故障),这导致厂内晶片和设备受到了污染,设备故障导致不得不停工检修。不过,美光官方今天对外发布澄...
  • 2月16日据中科院网消息,近日,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展...
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