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三星即将推出280层3D QLC NAND Flash

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1月30日消息,三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash,这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。

长江存储“亮剑”:在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利!

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11月11日消息,芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到,中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司(MICRON)和美光消费类产品事业部(MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC)(以下统称“美光”)提起诉讼,指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。

走向垂直:Gate All around、3D DRAM、3D NAND

10月16日消息,据semianalysis报道,大型私营半导体设备公司所剩无几,其中最突出的两家是日本国际电气(Kokusai Electric )和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司,都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言,情况非常简单,用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。