NEO宣布推出两款全新3D X-DRAM设计，容量可达当前传统DRAM模块10倍
近日，3D DRAM技术厂商NEO Semiconductor 宣布推出了两款全新的3D X-DRAM单元设计，包括1T1C 和3T0C，分别基于单晶体管单电容和三电晶体零电容的设计，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，密度高达 512Gb，预计将可提供当前传统DRAM模块10倍的容量。
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NEO半导体推出3D X-AI芯片：AI性能提升100倍，功耗降低99%，存储密度提升8倍！
近日，3D NAND 闪存和 3D DRAM 创新技术的领先开发商 NEO Semiconductor 宣布推出其 3D X-AI芯片技术，旨在取代高带宽内存 （HBM） 内部的现有 DRAM 芯片，通过在 3D DRAM 中实现 AI 处理来解决数据总线带宽瓶颈。
为降低EUV光刻成本，SK海力士将转向“4F2”结构的3D DRAM
8月13日消息，据Thelec报道，SK 海力士研究员Seo Jae Wook 周一在韩国首尔举办的产业会议中指出，自从1c纳米制程DRAM 商业化之后，极紫外光（EUV）光刻制程成本将快速攀升，SK海力士计划开发3D DRAM以进一步控制成本。
NEO宣布推出3D X-AI芯片：神经网络性能提升100倍，功耗降低99%！
7月19日消息，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 FMS 2024（内存和存储的未来）会议上，NEO Semiconductor 首席执行官 Andy Hsu 宣布，将推出 一款改变游戏规则的 3D DRAM——3D X-AI，具有 AI 处理功能，将数据存储和数据处理结合在单个芯片中，将神经网络（ANN）性能提高 100 倍，功耗降低 99%。
三星：2025年后将进入3D DRAM时代
4月2日消息，据外媒Semiconductor Engineering报导，三星电子近日在半导体产业会议Memcon 2024上表示，2025年后将进入3D DRAM时代。
走向垂直：Gate All around、3D DRAM、3D NAND
10月16日消息，据semianalysis报道，大型私营半导体设备公司所剩无几，其中最突出的两家是日本国际电气（Kokusai Electric ）和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司，都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言，情况非常简单，用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
美国公司公布3D X-DRAM技术：230层堆栈，容量提升8倍！
5月5日消息，全球NAND Flash闪存早已经进入3D时代，这也使得其容量比相比2D时代得到了大幅的提升，但成本却并没有提高多少。相比之下，DRAM内存还停留在2D，需要大容量DRAM就需要支付更多的成本。近日，美国NEO半导体公司宣布推出了全球首款3D DRAM，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。
3D DRAM正加速商业化
3月20日消息，据韩国媒体businesskorea报道，全球DRAM领导厂商三星电子和SK海力士正在加快推进3D DRAM的商业化。有业内人士认为，3D DRAM将改变存储器行业的游戏规则。不过，在DRAM行业排名第三的美光自2019年以来就已经开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。
DRAM，加速走向3D
随着10nm制程的临近，使其在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM存储单元的缩放正在放缓。
