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英诺赛科与意法半导体签署氮化镓技术联合开发协议

4月1日,英诺赛科在港交所发布公告称,公司与功率半导体大厂意法半导体签署了一项基于氮化镓功率技术开发与制造的联合开发协议,拟在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的应用。

英诺赛科起诉英飞凌专利侵权!

1月16日晚间,国产氮化镓大厂英诺赛科发布公告称,本公司及本公司之全资附属公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司(后者简称“英诺苏州”,二者统称“原告”)已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司(以下称“被告一”)、英飞凌科技(无锡)有限公司(以下称“被告二”)及苏州芯沃科电子科技有限公司(以下称“被告三”),就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》,及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》(统称“起诉状”)。

ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响

11月8日消息,致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布,美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实,英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司(Efficient power Conversion Corporation,EPC)之间正在进行的专利纠纷的影响。

英飞凌在美国ITC对英诺赛科发起337调查申请

据中国贸易救济信息网7月29日消息,美国英飞凌科技(Infineon Technologies Americas Corp.)、美国英飞凌技术奥地利公司(Infineon Technologies Austria AG)根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请,指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品(Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same)侵犯了其专利,违反了美国337条款。

美国ITC判定英诺赛科专利侵权,相关产品将被禁售!

2024 年 7 月 8 日,氮化镓(GaN)技术厂商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)今日宣布美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)最新确认宜普公司的两项关键专利有效,并且判定英诺赛科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.)和其子公司英诺赛科美国公司(Innoscience America, Inc.)(以下简称英诺赛科)侵犯了其中一项专利。

宜普向美国ITC起诉英诺赛科侵犯其氮化镓技术专利

5月25日消息,氮化镓(GaN)技术厂商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称“宜普公司”)于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称“英诺赛科”)侵犯。

英诺赛科成功导入ASML光刻机,进一步提升产能和产线良率

英诺赛科(珠海)科技有限公司为ASML光刻机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。英诺赛科于2021年引入ASML光刻机,凭借着其卓越的成像性能和独特的TWINSCAN架构(双晶圆工件平台),英诺赛科进一步提升了硅基氮化镓功率器件制造的产能及产线良率。此次庆典上,ASML副总裁兼中国区总经理沈波代表ASML被英诺赛科授予“最佳战略合作伙伴”称号。