业界 二季度全球DRAM市场销售额止跌回升,环比大涨20.4% 8月24日消息,根据市场研究机构 TrendForce最新发布的报告显示,受益于AI服务器需求攀升,带动了HBM(高带宽内存)的出货增长,加上客户端 DDR5 的备货潮,使得三大DRAM原厂出货量均有成长。整个DRAM 产业的二季度营收约 114.3 亿美元,环比大涨20.4%,终结了连续三个季度的跌势。2023年8月24日
业界 长江存储被制裁一年后,三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层! 2022年,美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash,但是在美方的制裁之下,长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下,这些国际大厂纷纷加速迈向300层,希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。2023年8月21日
业界 2024年HBM供应量将同比大涨105%,销售收入将同比大涨127% 8月9日消息,据市场研究机构TrendForce最新报告指出,随着AI需求推动英伟达(NVIDIA)及其他云端服务业者(CSP)自研芯片持续追加定单,SK海力士等内存大厂也在增加TSV产线扩增HBM产能。从目前各原厂规划看,2024年HBM供给位元量将同比大涨105%,考察TSV扩产加上机台交期与测试时间合计可能长达9~12个月,TrendForce预估多数HBM产能要等到明年第二季才有望陆续开出。2023年8月9日
业界 继美光、AMD之后,传格芯考虑赴印度投资建晶圆厂 8月3日消息,据印度经济时报报道,继AMD在7月28日于印度召开的Semicon India 2023(印度半导体论坛)上宣布投资印度之后,晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundires)也开始考虑赴印度投资半导体。2023年8月3日
业界 存储芯片厂商持续减产,DRAM价格止跌 据日经新闻7月31日报导,面向智能手机、PC的消费量DRAM价格已经连2个月呈现持平(价格未下跌),主要是由于部分产品需求出现复苏迹象,加上多家头部的存储芯片大厂持续减产,市场上库存过剩情况已经得到了缓解,DRAM价格有触底的迹象。2023年8月1日
业界 AMD宣布未来5年在印度投资4亿美元,并在班加罗尔建最大研发中心! 7月28日消息,据路透社报道,美国处理器大厂AMD首席技术官 Mark Papermaster于本周五在印度总理莫迪家乡——古吉拉特邦举行的年度半导体会议上宣布,未来五年将在印度投资约4亿美元,并将在印度班加罗尔科技中心建立其最大的研发中心。2023年7月28日
业界 美光推出HBM3 Gen2:24GB容量,带宽超1.2TB/s,每瓦性能为前代产品2.5倍 7月27日,存储芯片大厂美光宣布推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量的HBM3 Gen2,相比其目前出货的HBM3解决方案提高了50%。2023年7月27日
业界 三大半导体CEO游说拜登政府!英特尔CEO:没了中国市场的订单,再建晶圆厂就没必要了! 7月23日消息,据彭博社报道,知情人士透露,近日,英特尔CEO帕特·盖辛格(Pat Gelsinger)、英伟达CEO黄仁勋(Jensen Huang)和高通公司CEO的克里斯蒂亚诺·阿蒙(Cristiano Amon)与美国拜登政府在华盛顿举行了会议。这些科技巨头的CEO们均表示,美国政府应该研究“限制对华半导体出口”的影响,认为出口管制有损于美国在该行业的领导地位,希望停止实施新的限制。2023年7月23日
业界 美光印度晶圆封测厂将于2024年12月投产 7月5日消息,据英国金融时报4日报道,印度电子信息科技部部长Ashwini Vaishnaw表示,美国存储芯片大厂美光(Micron Technology)在古吉拉特邦(Gujarat)设立的存储芯片组装测试厂预定于8月破土动工,总体的项目投资额为27.5亿美元(包括政府补贴)。2023年7月5日
业界 减产30%持续至2024年!美光:存储芯片市场已走出底部,将会上扬! 当地时间2023年6月28日,美国存储芯片大厂美光科技公布了截至2023年6月1日的2023财年第三财季的财报。2023年6月29日
业界 大厂减产、库存减少,DRAM价格结束连续12个月下跌 6月26日消息,据日经新闻报导,面向智能手机、PC的消费类DRAM价格已经开始止跌,而这可能是因由于头部存储大厂纷纷减产,导致市场库存减少所致。2023年6月26日