三大原厂预计明年一季度完成HBM3e验证，2026年推出HBM4
11月28日消息，根据市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告显示，为了更妥善且健全供应链管理，英伟达（NVIDIA）规划加入更多高频宽內存（HBM）供应商。
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美光公布最新路线图：全新GDDR7、HBM4E、MCRDIMM曝光
11月14日消息，存储芯片大厂美光近期公布了最新路线图，包括DDR5、GDDR7和HBM4E內存技术，其中GDDR7将会在明年底推出，赶上下一代英伟达（NVIDIA）GPU芯片。
商务部部长王文涛会见美光总裁兼CEO桑杰・梅赫罗特拉
据商务部官网消息，11月1日，商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰・梅赫罗特拉一行。
美光第四财季营收同比大跌40%！
当地时间9月27日，存储芯片大厂美光公布了 2023 年第四财季（截至 2023 年 8 月 31 日）和 2023 财年的业绩数据。
印度官员：美光计划在印度建立更多半导体产能
9月18日消息，据外媒报导，印度电子和信息技术部部长Rajeev Chandrasekhar近日表示，美国存储芯片大厂美光（Micron）除了已宣布的在印度建一座封测厂的计划之外，在长期看好印度市场的情况下，美光还打算在印度建立多个半导体封测部门。
中国限制令影响已消除？传美光将涨价，需求正逐渐恢复
9月15日消息，据外媒报道，券商巴克莱（Barclays）分析师Tom O’Malley带领的团14日发布报告称，虽然中国针对关键基础设施限制采购美光存储芯片的限制令的影响可能超出预期，但是过去几周以来存储市场需求正在回暖，存储价格也将开始回升。
二季度NAND Flash营收环比增长7.4%，三季度或将继续增长3%
9月13日消息，近日市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告显示，今年第二季度NAND Flash市场需求仍低迷，供过于求态势延续，使NAND Flash第二季平均销售单价（ASP）继续下跌10%~15%，而NAND Flash位元的出货量则在第一季度较低基数的基础上环比增长19.9%，从而带动第二季度全球NAND Flash产业营收环比增长7.4%至93.38亿美元。
继三星涨价之后，传美光也将对NAND Flash晶圆合约涨价10%
9月5日，天风国际分析师郭明錤发文称，继三星在8月份涨价后，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。
未来数年HBM市场年复合增长率达50%，美光HBM3 Gen 2 明年一季度量产出货
9月5日消息，全球第三大DRAM厂美光昨日在中国台湾召开发布会，表示在人工智能（AI）热潮之下，看好2022年至2025年高带宽内存（HBM）市场年复合成长率超50%，美光也在积极布局，旗下1β制程的HBM3 Gen2正在验证中，预计明年首季量产出货。
美光将于2025年量产1-gamma制程DRAM
9月4日消息，据中国台湾媒体报道，中国台湾美光董事长卢东晖近日接受采访时表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在中国台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程，是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术，将在 2025 年上半年先在台中厂量产。
