SK海力士发通知，DRR5将涨价20%！
8月14日消息，随着SK海力士、美光、三星等存储芯片巨头大举将产能转为生产面向AI需求的高频宽内存（HBM），这也直接导致了对于DDR5等规格内存产出锐减。据供应链传闻指出，已有厂商接获DRAM大厂SK海力士的通知，调涨DDR5报价15%至20%，预计三星、美光等后续也将跟进涨价。
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SK海力士计划在2025年底量产400层NAND Flash
8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。
美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！
2024年7月31日，存储芯片大厂美光科技今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD现已开始出货，成为首家达成这项里程碑的企业。
传部分英伟达RTX 40显卡将出现供应短缺，原因是美光GDDR6X模块质量不合格
7月30日消息，据Tom′s Hardware报导，市场传言GPU大厂英伟达（NVIDIA）GeForce RTX 40系列将从今年8月开始会出现短暂供应短缺，主要是因为上批不合格GDDR6X內存需要重新生产。
美光MRDIMM正式送样：带宽提升39%，延迟降低40%！
近日，DRAM大厂美光宣布，其多重存取双列直插式内存模组 （multiplexed rank dual inline memory module， MRDIMM） 开始送样，让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥其计算基础设施中获得最大价值。
长江存储再度“亮剑”：起诉美光其侵犯11项美国专利！
7月20日消息，据Tomshardware报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。
美光2025年欲抢下25%的HBM市场，SK海力士严阵以待
7月2日消息，美国存储芯片大厂美光（Micron）于6月5日宣布，预计2025自然年，其HBM市占率将与美光的DRAM市占率相当，达到约为20-25%。可以说美光的豪言也给另外两家HBM大厂SK海力士和三星带来了一些竞争压力。
美光已在广岛工厂利用EUV试产1γ DRAM，计划2025年大规模量产
美国当地时间6月26日，存储芯片大厂美光科技在公布2024财年第三财季财报的同时，也披露了美光正在其位于日本广岛的工厂试产基于极紫外（EUV）光刻技术的 1γ （1-gamma）DRAM ，作为试生产计划的一部分，首批 1γ DRAM也将在那里制造。
美光第四财季业绩未超预期，盘后股价一度大跌9%！
当地时间6月26日周三美股盘后，存储芯片大厂美光科技发布了截至5月30的2024财年第三财季财报。尽管第三财季财报的业绩优于市场预期，但对于第四财季的业绩指没有超出预期的内容，这也导致美光科技盘后股价一度大跌超9%。
长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁，指控其散布虚假信息！
据“出口管制合规研究”消息显示，今年6月份，国产存储芯片厂商长江存储（YMTC）在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
韩国专利公司Mimir IP起诉美光侵犯，索赔4.8亿美元！
6月19日消息，据《韩国经济日报》报道，韩国专利运营公司 Mimir IP 已于 6 月 3 日在美国德克萨斯州东区地方法院和美国国际贸易委员会 (ITC) 对美光科技提起诉讼，指控美光以及使用美光产品的企业，如特斯拉、戴尔、惠普和联想等侵犯了其专利。
3D NAND原厂垂直单元效率对比，哪家存储效率更高？
近日市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。
