6.78亿元，友达后里工厂全部卖给美光
2月13日，中国台湾显示面板厂商友达代子公司友达晶材股份有限公司发布公告，宣布计划将后里厂东侧建筑物卖给中国台湾美光內存股份有限公司。
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传美光16层HBM3E即将量产
1月16日消息，据韩国媒体报道，美国內存大厂美光（Micron Technology）正准备量产16层堆叠的第5代高频宽內存HBM3E，进度几乎跟SK海力士（SK Hynix）差不多。
2024Q3全球半导体市场：三星以12.4%份额稳居第一，英特尔跌至第四！
1月13日消息，市场研究机构Counterpoint Research发布了最新研究报告，公布了2024年第三季度全球TOP7半导体厂商，三星以12.4%的份额稳居第一。
投资70亿美元，美光新加坡HBM封装厂开工
1月10日消息，美光科技（Micron Technology）投资70亿美元的新加坡高带宽内存 （HBM） 封装工厂近日正式破土动工，该工厂毗邻该公司的新加坡DRAM晶圆厂。
投资21.7亿美元，美光宣布扩建美国弗吉尼亚州DRAM工厂
2025年1月1日消息，美国弗吉尼亚州州长Glenn Youngkin表示，美光公司计划投资21.7亿美元扩建其在美国弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，将提高其在美国的半导体产能。该项目将升级该设施，为工业、汽车、航空航天和国防应用生产专用DRAM存储器，预计将创造340个就业机会。
美光数据中心收入暴涨400%，但第二季指引低于预期，盘后股价一度暴跌18%
12月19日消息，美国存储芯片大厂美光科技（Micron）于当地时间12月18日美股收盘后公布了2025会计年度第一季（截至2024年11月28日为止）财报，虽然该季度业绩表现出色，但是由于第二季业绩指引大幅低于分析师的预期，导致美光股价在盘后交易中一度暴跌约18%，盘后交易结束时股价仍下跌了16.12%。
三星HBM3E仍未通过英伟达认证！
12月12日消息，据外媒wccftech报道，三星电子近日在对投资人的报告中承认，其高带宽内存HBM3E依然没有通过英伟达的测试认证，但三星强调，对于接下来通过认证的结果保持乐观态度。韩国媒体Daily Korean也报道称，三星2024年内将无法完成向英伟达供应HBM3E的计划，但2025年确实会比较乐观。
美国商务部宣布将向美光提供61.65亿美元补贴
当地时间12月10日，美国拜登政府宣布，美国商务部根据《芯片与科学法案》 激励计划，向美国存储芯片大厂美光科技提供高达61.65 亿美元的直接资金资助，以支持美光科技未来20年内在纽约州投资1000亿美元和在爱达荷州投资 250 亿美元的产能建设计划，预计将创造这约 20,000 个就业岗位，并将帮助美国将其在先进存储制造领域的份额从目前的不到 2% 提高到 2035 年的约 10%。商务部将根据美光项目里程碑的完成情况发放资金。
美国对华HBM出口管制规则公布：三大HBM原厂均受限
当地时间12月2日，美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局（BIS）修订的新的《出口管制条例》（EAR），在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时，还公布了对于高带宽内存（HBM）的出口管制规则。
2024Q3全球十大半导体厂商净利同比大涨38%！英伟达一家贡献了60%！
11月28日消息，据《日经新闻》报道，因AI需求旺盛，带动全球10大半导体厂商今年三季度（2024年7-9月、部分为6-8月或8-10月）净利润合计为304亿美元，同比大涨38%，获利创进3年来新高。《日经新闻》列入统计的全球10大半导体厂商包括：台积电、英伟达、三星电子、意法半导体（STMicroelectronics）、高通、英特尔、AMD、德州仪器、美光和SK海力士。
2024Q3全球DRAM市场营收260.2亿美元，环比增长13.6%
11月26日消息，市场研究机构TrendForce发布最新研究报告称，虽然受中国手机业者去化库存和陆系DRAM供应商扩产，以及三大DRAM原厂的LPDDR4及DDR4出货量下降影响，但供应数据中心的DDR5及HBM需求上升，推动今年第三季DRAM市场营收环比增长13.6%至260.2亿美元。
三星HBM3E已通过关键验证，开始供应某大客户！美光股价下跌
11月1日消息，据Barron’s、BusinessKorea报导，三星电子在10月31日的第三季财报电话会议上透露，三星目前最先进的高带宽內存HBM3E已检验合格、开始供应某家大客户。
