中国加强出口管制后，金属镓价格一周内大涨17%
12月17日消息，据外媒Tomshardware报道，自12月初中国商务部宣布加强对于镓、锗、锑、超硬材料相关两用物项对美国的出口管制之后，金属镓的价格在12月的一周内上涨了17%，达到了每公斤595美元，创下了2011 年以来的最高价格。随着全球各行各业争先恐后地寻找替代来源，预计价格将进一步上涨。
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商务部：加强相关两用物项对美国出口管制
12月3日，中国商务部发布公告称，根据《中华人民共和国出口管制法》等法律法规有关规定，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，决定加强相关两用物项对美国出口管制。
Vishay宣布向英国NWF晶圆厂投资5100万英镑，以支持其生产碳化硅功率器件
11月29日消息，美国分立半导体和无源电子元件制造商Vishay Intertechnology Inc.（威世）近日宣布将向位于英国威尔士的Newport Wafer Fab（以下简称NWF）投资 5100 万英镑，该项投资也获得了威尔士政府500万英镑的补贴。
德州仪器内部氮化镓功率半导体产能提升4倍！
2024年10月24日，美国芯片大厂德州仪器 (TI) 宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的产能提升，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂产能，德州仪器现在已经将内部生产的基于 GaN 的功率半导体产能提升了4倍以上。
英飞凌成功推出全球首款300mm GaN晶圆
当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米（12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
信越化学宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圆
近日，日本半导体材料大厂信越化学宣布，已经制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延生长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近开始供应样品。
破产的GaN代工厂BelGaN遭多家机构组团竞购，报价约1.3亿欧元
8月26日消息，于本月初申请破产的比利时氮化镓（GaN）芯片代工厂BelGaN近日获得了瑞典-芬兰财团联合成立的“7 Semiconductors Oy”公司的名义竞购了这家位于比利时赫尔辛基的公司。
GaN功率半导体市场发展提速，行业首波整合潮出现
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司，强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟，但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展，对更高功率更低能耗的要求，将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件，氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开，也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。
欧洲氮化镓芯片代工厂BelGaN申请破产
8月3日消息，安森美（onsemi）旗下位于比利时奥德纳尔德的氮化镓（GaN）子公司BelGaN已申请破产。
英飞凌在美国ITC对英诺赛科发起337调查申请
据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。
美国ITC判定英诺赛科专利侵权，相关产品将被禁售！
2024 年 7 月 8 日，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）今日宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）最新确认宜普公司的两项关键专利有效，并且判定英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc.）（以下简称英诺赛科）侵犯了其中一项专利。
格芯收购泰戈尔科技氮化镓技术和相关团队
7月1日，格芯（GlobalFoundries）发布新闻稿，宣布收购泰戈尔科技（Tagore Technology）的功率氮化镓（GaN）技术及知识产权组合，希望在汽车、物联网和人工智能数据中心应用领域探索更高的效率和更好的性能。
