业界 Polar授权瑞萨电子硅基氮化镓技术在美国生产 4月16日,美国唯一一家专门从事传感器、电源和高压半导体代工厂商Polar Semiconductor(“Polar”)宣布,已与瑞萨电子株式公司(简称“瑞萨电子”)敲定一项战略协议,授权其硅基氮化镓 D 型 (GaN-on-Si) 技术。2025年4月16日
业界 对标国际一线大厂,真茂佳SiC/GaN全场景方案亮相 作为车规功率器件领域的持续深耕者,真茂佳公司近日携全电压覆盖、全场景适配的SiC产品矩阵亮相上海慕尼黑电子展,为行业提供高性能器件,助力客户在高效能源时代抢占先机。2025年4月16日
业界 英诺赛科与意法半导体签署氮化镓技术联合开发协议 4月1日,英诺赛科在港交所发布公告称,公司与功率半导体大厂意法半导体签署了一项基于氮化镓功率技术开发与制造的联合开发协议,拟在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的应用。2025年4月1日
业界, 深度 英飞凌高管专访:详解GaN/SiC/AI/机器人布局与中国本土化发展! 今年3月中旬,英飞凌在深圳召开了 “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”。期间,英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟,英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟接受了包括芯智讯的专访,介绍了英飞凌在氮化镓、碳化硅、AI、机器人等领域的布局,以及英飞凌的在中国的本土化发展。2025年3月29日
业界 英诺赛科:AI及数据中心芯片交付量同比暴涨669.8% 3月28日晚间,国产氮化镓龙头企业英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)发布了截至2024年12月31日止年度经审计综合业绩报告。2025年3月29日
业界 全球首次!九峰山实验室实现氮化镓材料制备领域新突破 3月24日消息,九峰山实验室科研团队近日取得重大突破,成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓(N-polar GaNOI)高电子迁移率材料的制备。2025年3月24日
业界 芯向未来,2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会成功举办 3月14日, “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”(ICIC 2025,以下同)在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英,就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨,首次在国内展示了英飞凌两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆,彰显了英飞凌在技术创新领域的领先地位,并解读最新产品与解决方案,为行业注入新动能,助力企业在低碳数字变革的浪潮中把握先机。2025年3月17日
业界 2030年全球化合物半导体市场将达250亿美元 3月3日消息,据市场研究机构Yole Group最新公布的预测报告显示,预计到2030年,全球化合物半导体器件市场预计将增长到约250亿美元。不过,该行业在价值1万亿美元的半导体器件市场当中仍然只占一小部分。2025年3月3日
业界 英飞凌:GaN的采用率将在今年及未来持续成长 2月26日消息,汽车于工业芯片大厂英飞凌(Infineon)发布了《2025年GaN功率半导体预测报告》,强调氮化镓(GaN)将成为改变游戏规则的半导体材料,它将大幅改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。因此,预计GaN的采用率将在今年及未来持续成长。2025年2月26日
业界 半导体封测大厂矽力-KY 2000万美元入股,英诺赛科发行获产业资本追捧 12月20日晚间,中国台湾半导体封测大厂矽力-KY(6415)发布公告,宣布计划投资2000万美元入股全球氮化镓半导体龙头大厂英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”),以取得其0.5%的股权。2024年12月20日