业界 英特尔3nm晶体管密度曝光:超越台积电2nm,碾压IBM 2nm 近日Digitimes发布的研究报告,也分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题,并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。2021年7月14日
业界 每平方毫米1.713亿个!台积电5nm晶体管密度比7nm提高88% WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,照此计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。2020年3月23日