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2016半导体研发支出排行榜:英特尔第一,台积电、联发科挤进前十

根据市场调查机构 IC insights 的调查报告显示,2016 年在半导体业市场热络的情况下,各家半导体公司对研发 (R&D) 的投资也不遗余力。2016 年全球半导体公司研发投入前十强依次为英特尔(Intel)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、台积电 (TSMC)、联发科(MediaTek)、美光(Micron)、恩智浦(NXP)、SK海力士(SK Hynix)等。
又玩数字游戏?台积电第四代16nm要改名12nm?

台积电将在今年二季度推出7nm工艺,明年初量产

据报道,台积电正在按计划在2017年第二季度使用7nm FinFET生产第一批苹果A系列理器,提供给明年iPad和iPhone使用。根据商业时报的供应链消息,7nm FinFET工艺中的第一个原型芯片将在“tape out”完成后,于今年第二季度推出,并在2018年初开始批量生产,以提供给2018年秋季的iPhone使用。

台积电营收同比大涨,拟投资157亿美元建5nm和3nm产线

在与三星争夺10nm工艺的同时,台积电也正在积极推动下一代的7nm工艺。昨天,ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司,制造工艺正是台积电的7nm,预计于明年初流片,2018年正式上市。而对于未来的5nm和3nm工艺,台积电也开始了布局。
ARM、台积电宣布第一款商用7nm芯片:明年初流片

ARM、台积电宣布第一款商用7nm芯片:明年初流片

TSMC、三星不仅要争抢10nm工艺,再下一代的7nm工艺更为重要,因为10nm节点被认为是低功耗型过渡工艺,7nm才是真正的高性能工艺,意义更重大。现在ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司,制造工艺则是TSMC公司的7nm。该芯片明年初流片,不过2018年才会正式上市。
挖角英特尔,台积电投资300多亿欲打败三星

挖角英特尔,台积电再投资300多亿欲打败三星

据媒体报道,台积电近日通过一次董事会议决定,计划将在未来拿出49.1亿美元(约合333亿元人民币)来提高产能、兴建工厂以及研发下一代先进制程(7nm/10nm)的等。这个投资计划可谓是大手笔,总投资额几乎相当于台积电全年销售额的15%左右。