美国半导体关税最快7月底公布，税率或超25%！
当地时间7月8日，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，将在7月底或8月1日发布半导体关税税率决定。
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美光披露其对美国2000亿美元投资计划细节
7月1日消息，据Tom's hardware报道，美国存储芯片大厂美光（Micron）近日详细介绍了其不久前宣布的对美国投资2000亿美元的投资计划。
美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代
6月27日消息，美光本周在最新的财报电话会议中宣布，已开始向客户提供采用导入极紫外光（EUV）光刻技术的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內存样品。这也显示美光已正式进入EUV DRAM 制程时代。
美光最新一季HBM营收环比大涨50%
当地时间6月25日，存储芯片大厂美光（Micron）公布了2025会计年度第三季（截止2025年3月至5月）财报，当季营收为 93.0 亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%。GAAP净利润为 18.9 亿美元，或摊薄每股收益 1.68 美元；非 GAAP净利润为 21.8 亿美元，或摊薄每股收益 1.91 美元。整体业绩超出了市场预期。经营现金流为 46.1 亿美元，上一季度为 39.4 亿美元，去年同期为 24.8 亿美元。
美光宣布将停产DDR4，价格或将持续上涨
6月14日消息，据外媒wccftech报道，美国DRAM芯片大厂美光已正式通知客户，其DDR4 內存产品即将停产（EOL），未来6到9个月内将逐步减少出货。至此，包括三星、SK海力士和美光在内全球前三大DRAM厂商均已退出了DDR4市场。
美光/Amkor/SK海力士美国建厂计划受阻
6月12日消息，据半导体研究机构SemiAnalysis的最新研究显示，虽然在《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）的资助下，许多厂商在美国的晶圆厂开始建设或即将进入量产阶段，但部分建厂因为环境审查与当地居民抗议而尚未动工，陷入“邻避情结”（NIMBY）或许可流程长达两年的状况。目前受影响的项目包括Amkor（安靠）在亚利桑那州的先进封装厂、美光在纽约的DRAM晶圆厂，以及SK 海力士在印第安纳州HBM 工厂。
美光已向主要客户交付HBM4样品
当地时间6月10日，美光科技宣布已向多个主要客户交付HBM4 36GB 12 层堆叠样品。
英伟达委托三大DRAM厂商开发SoCEM模块，美光率先获得量产批准
6月11日消息，据外媒tweaktown报道，英伟达（NVIDIA ）委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂开发SoCEM 内存模块，但出乎意料的是，美光竟是第一家获得量产批准的公司。
美光寻求撤销法院命令，拒绝向长江存储提供73页机密文件！
6月9日消息，据Tom’s hardware援引PatentlyO的信息报道称，美国存储芯片大厂美光和中国存储芯片大厂长江存储之间的专利诉讼战发生了新的转折，因为美光正以涉及国家安全为由，试图推翻之前的证据开示保护令协议和法院裁决。
美国政府即将出台半导体关税？英特尔、美光、高通、SIA齐发声
5月27日消息，针对美国商务部《贸易扩张法》第232条进行的半导体进口国家安全调查，英特尔、美光和高通等美国半导体巨头近日在提交供给商务部的评论中，纷纷敦促美国总统特朗普谨慎对待半导体关税，并建议免除对进口半导体材料、设备的关税，以及免除基于美国知识产权在国外制造的产品的进口关税。他们认为，如果美国政府对半导体加征关税，可能会提高他们的生产成本，并给他们的海外业务带来困难。
HBM4制造难度及成本将更高，溢价幅度预计将超30%
5月22日消息，根据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报道称，受益于AI芯片需求的带动，三大DRAM原厂正积极推动HBM4 产品进度。但因HBM4的I/O 数量增加，复杂芯片设计也使得所需的晶圆面积增加，且部分供应商产品改为采逻辑基低芯片构架以提高性能，这些都将带来成本的提升。鉴于HBM3e刚刚推出时溢价比例约20%，制造难度更高的HBM4的溢价幅度或突破30%。
传三星已对DRAM产品涨价，涨幅最高20%！
5月13日消息，据韩国媒体ETNews报道，受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带动，三星电子因客户需求高涨，决定顺势调涨DRAM芯片的价格。
