抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片
目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm，台积电此前表示，2022年下半年将量产3nm工艺，不过在3nm节点台积电依然选择FinFET晶体管技术，而三星则选择了GAA（Gate-all-around）技术。近日，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。
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首发GAA晶体管技术，三星3nm工艺成功流片
目前全球已量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。
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7月10日上午，在2020 世界人工智能大会期间的“万物智联·芯火燎原”人工智能芯片创新主题论坛上，三星电子高级副总裁Moonsoo Kang介绍了三星Foundry是如何通过提供最佳的Silicon(硅)解决方案来帮助AI芯片实现的。同时，他也介绍了三星Foundry在晶圆代工领域的概况及最新的进展。
