传三星半导体高管亲访英伟达，展示改良版HBM样品
2月18日消息，据韩国媒体Thelec报道，三星电子副董事长、半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉（Young Hyun Jun）上周亲自拜访了英伟达（NVIDIA）总部，展示了其基于最新的1b DRAM的HBM样品。
中芯京城附近0001-2地块挂牌出让，项目规划投资将达500亿元
近年来，随着中美科技战持续深入，中国晶圆厂也在持续扩大本土晶圆制造产能，以应对国内市场市场需求。根据最新消息显示，位于中芯京城旁的地块，近期也已经公开挂牌出让。市场预期，该地块的挂牌出让，似乎是为了接下来的扩产做出准备。
RS Technologies宣布投资12.17亿元扩产再生晶圆
2月18日消息，为应对市场需求旺盛，全球再生晶圆大厂RS Technologies近日宣布将投资254亿日元（约合人民币12.17亿元），继续扩大在日本、中国台湾、中国大陆的再生晶圆产能，目标在2027年建立全球100万片以上的月产能。
韩国政府宣布今年将采购10000颗高性能GPU
2月18日消息，据路透社报道，韩国代理总统崔相穆于17日发布声明，宣布韩国将在今年取得1 万颗高性能的绘图处理器（GPU），以便在全球人工智能（AI）竞赛中保持一定优势。
传SK海力士、三星将停用中国EDA
2月17日消息，据韩国经济日报（hankyung）报道，存储芯片大厂SK海力士已开始紧急审查中国供应商提供的半导体电子设计自动化（EDA）工具，做为预防措施，以应对美国总统特朗普上任后可能祭出的新的制政策，比如限制韩国半导体公司使用中国EDA工具。
宏碁宣布对美出口笔电涨价10%！联想、华硕等品牌或将跟进
2月18日消息，据英国“每日电讯报”报导，宏碁董事长陈俊圣近日在英国接受采访时透露，为应对美国特朗普政府今年2月1日宣布对进口自中国大陆的商品加征10%的关税政策，宏碁将依照进口时间，计划对受关税影响的产品涨价10%。
英飞凌宣布已向客户交付首批8英寸碳化硅产品
近日，英飞凌通过官网宣布，其在 200 毫米（8英寸）碳化硅 (SiC) 路线图上取得了重大进展，已于 2025 年第一季度向客户发布首批基于先进 200 毫米 SiC 技术的产品。这些产品在奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车和电动汽车等高压应用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌位于马来西亚居林的制造基地也将从 150 毫米（6英寸）晶圆向更大、更高效的 200 毫米直径晶圆的过渡正在全面推进。新建的 Module 3 即将根据市场需求开始大批量生产。
传三大DRAM厂商停产DDR3/DDR4，南亚科技及华邦电子股价大涨
2月17日消息，据日经新闻报导，随着DRAM价格的持续下跌，三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂都将在2025年内停产DDR3和DDR4，一旦相关产品停产，市场预期中国台湾DRAM厂商将有望出现转单效益，且最快在今年夏季后扭转DRAM市场供过于求的困境，出现供不应求的状况。该消息刺激华邦电子、南亚科技17日股价分别大涨8.16%和6.35%。
今年一季度NAND Flash价格将继续下跌13-18%，下半年才有望回升
2月17日消息，根据市场研究机构TrendForce调查显示，今年第一季NAND Flash市场将持续面临供过于求的挑战，导致价格下滑13-18%，供应商面临亏损困境。
传台积电亚利桑那州第三座晶圆厂6月开工
2月17日消息，为了对冲美国总统特朗普计划祭出的对台加征关税措施所带来的风险，市场传闻台积电可能将加快位于美国亚利桑那州的第三座晶圆厂的建设计划，以及最快于今年6月举行开工典礼，届时将邀请美国官员出席，展现台积电扩大在美国投资的决心。
哈佛大学研究团队成功利用CMOS芯片映射2000个大鼠神经元之间的70000个突触连接
近日，哈佛大学的研究人员成功构建了一个互补金属氧化物半导体 （CMOS） 芯片，该芯片装有 4,096 个微孔电极阵列，使他们能够用于映射 2,000 个大鼠神经元之间的 70,000 个突触连接。通过该芯片可以测量每个大鼠神经元连接之间的信号，并描述通过它们发送的信号类型。目前相关论坛已经发表在了《自然》杂志官网上。
GB200需求低于预期？英伟达RTX 5090产能提升，下个月将大量供应
2月17日消息，英伟达最新发布的GeForce RTX 50 系列并不完美，近期RTX 5090/5090D不仅被爆出存在“变砖”以及连接器融毁等问题，还存在严重的供应不足的问题。而据知名的爆料人@MEGAsizeGPU 最新爆料称，RTX5090的供应量很快就会高得离谱。
