日期 2025 年 1 月 16 日

英飞凌宣布合并传感器和射频业务

当地时间1月16日,电源、汽车和物联网半导体领域的领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门,将现有的传感器和射频(RF)业务合并为一个专门的组织,以推动公司在传感器领域的发展。新的业务部门SURF(传感器单元和射频)将成为电源和传感器系统(PSS)部门的一部分,并包括以前的汽车和多市场传感与控制业务。

英诺赛科起诉英飞凌专利侵权!

1月16日晚间,国产氮化镓大厂英诺赛科发布公告称,本公司及本公司之全资附属公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司(后者简称“英诺苏州”,二者统称“原告”)已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司(以下称“被告一”)、英飞凌科技(无锡)有限公司(以下称“被告二”)及苏州芯沃科电子科技有限公司(以下称“被告三”),就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》,及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》(统称“起诉状”)。

传台积电拒绝为三星代工Exynos旗舰芯片!

1月16日消息,三星在第二代3nm GAA制程上遭遇良率过低的消息早已不是新闻,有报道称其目前良率仅20%,远不及其当初定下的70%良率的目标,这也使得其自研的Exynos旗舰芯片遭遇了难产。相比之下,台积电最新的2nm制程据说良率已达60%。

传美光16层HBM3E即将量产

1月16日消息,据韩国媒体报道,美国內存大厂美光(Micron Technology)正准备量产16层堆叠的第5代高频宽內存HBM3E,进度几乎跟SK海力士(SK Hynix)差不多。
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详解美国对华晶圆代工限制新规(附完整规则)

当地时间1月15日,美国联邦公报官网发布公告称,美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修订出口管理法规(EAR),要求提供与高级计算集成电路(IC)相关的更多尽职调查程序,旨在保护美国国家安全,同时协助前端半导体制造工厂和外包半导体封装与测试(OSAT)公司在遵守EAR供应链相关规定时更有效。

荷兰宣布对特定测量和检测设备出口管制!

1月15日,荷兰政府通过官网宣布,将加强其先进半导体制造设备的出口管制措施,自2025年4月1日起,更多类型的设备和技术将受到国家授权的要求。例如,新政策将适用于可被用于先进半导体生产的特定测量和检测设备。
台积电良率如“完美小笼包”!

传英伟达2025年CoWoS-S订单大砍80%!

据台媒《经济日报》报道,野村证券最新发布的报告指出,英伟达因多项产品需求放缓,将大砍2025年的CoWoS先进封装订单,其中在台积电、联电等的CoWoS-S订单量砍掉了高达八成,预计将导致台积电营收减少1%至2%。