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世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术

4月9日,合肥世纪金芯半导体有限公司宣布,基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累,突破了8英寸SiC关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。

缺乏美国政府资助,应用材料或将放弃40亿美元在硅谷建研究中心计划

据《旧金山纪事报》于当地时间周一(4月8日)援引知情人士的消息报道称,美国半导体设备大厂应用材料公司(Applied Materials, Inc.)可能因缺乏政府投资而缩减或取消原计划在硅谷建设的价值40亿美元的研发设施。此前,拜登政府于3月29日宣布,将不再提供对半导体研发设施建设和改造的资助。
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获66亿美元补贴!台积电将建亚利桑那州三厂,总投资升至650亿美元!

4月8日消息,据彭博社报道,当地时间周一,美国商务部与全球晶圆代工龙头大厂台积电达成了初步协议,将依据《芯片与科学法案》向台积电提供高达66亿美元的补贴资金和50亿美元的低息贷款,用以支持台积电在美国亚利桑那州凤凰城建设先进的半导体制造设施,进而促进关键芯片在美国本土的生产。作为协议的一部分,台积电还将在凤凰城建造第座晶圆厂,使得在美国的总投资超过650亿美元。