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2023年中国25家头部半导体公司共获205.3亿元政府补贴，同比增长35%！
2023年，中国半导体行业的主要参与者（包括代工厂、芯片设计和封装公司）获得的政府补贴大幅增加，原因是中美科技战愈演愈烈的背景下，中国正加倍努力提高技术自给自足的能力。
三星、SK海力士高管遭遇降薪，上半年降幅达30%
8月16日消息，据《韩国先驱报》报道，在遭遇了去年存储芯片市场需求下滑、业绩大跌之后，虽然今年存储芯片市场全面回暖，但是韩国高薪资的存储芯片企业三星电子、SK海力士的高管目前仍面临大幅减薪的窘境，减幅达20~30%。
传三星将抢先台积电拿到High NA EUV光刻机
8月16日消息，据韩国首尔经济日报报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季在韩国华城园区开始安装首套High-NA EUV，预计2025年中启用，首先会用于开发2nm以下逻辑制程，以及先进的DRAM芯片制程。三星也计划与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。
中国对锑相关物项实施出口管制，影响几何？
继去年7月中国商务部决定对镓、锗相关物项实施出口管制之后，8月15日，中国商务部、海关总署联合发文，宣布对锑相关物项实施出口管制，自9月15日起正式实施！
思科宣布全球裁员7%！
8月16日消息，网络设备巨头思科近日在提交给美国证券交易委员会（SEC）的一份文件中证实，正在着手实施重组计划，将裁减全球7%的员工。
台积电38亿元买下群创南科5.5代面板厂
8月15日，台积电发布公告称，已与群创签订合约，购买群创位于台南市新市区环西路一段3 号的厂房及附属设施（南科四厂)，建物面积为9 万6027.09 坪，总交易金额为新台币171.4 亿元（约合人民币38亿元)，取的目的供营运与生产使用。
NEO半导体推出3D X-AI芯片：AI性能提升100倍，功耗降低99%，存储密度提升8倍！
近日，3D NAND 闪存和 3D DRAM 创新技术的领先开发商 NEO Semiconductor 宣布推出其 3D X-AI芯片技术，旨在取代高带宽内存 （HBM） 内部的现有 DRAM 芯片，通过在 3D DRAM 中实现 AI 处理来解决数据总线带宽瓶颈。
小米首款SUV车型曝光：代号Mx11，或将明年二季度发布！
8月15日消息，随着小米首款轿跑SU7的热卖，近期小米第二款车型的路测谍照以及疑似官方渲染图也被曝光，这也是小米的首款SUV，代号“MX11”，预计2025年二季度推出。
2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%，预计第三季合约价将上调
8月15日消息，根据TrendForce集邦咨询调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。
中科院研发出新型“热发射极”晶体管：功耗降低、性能提升！
8月15日消息，据央视新闻报道，近日，中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料，发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管，得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。
