8月28日晚间，国产半导体设备大厂中微公司(688012)发布了2025年半年度报告。
财报显示，上半年中微公司实现营业收入约49.61亿元，同比增长约43.88%；归母净利润7.06亿元，同比增长36.62%；扣非净利润5.39亿元，同比增长11.49%。
单季度来看，中微公司2025年第二季度营业收入27.87亿元，环比增长28.25%；归母净利润3.93亿元，环比增长25.47%；扣非净利润2.40亿元。
从上半年产品销售结构来看，报告期内，收入占比第一的产品为刻蚀设备，销售约37.81亿元，同比增长约40.12%。第二为LPCVD设备，销售约1.99亿元，同比增长约608.19%。产品结构向高端化、高增长薄膜设备拓展。
对于业绩的增长，中微公司表示，主要受益于上半年公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。另外，对外股权投资于2025年上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约1.68亿元，较2024年上半年亏损的0.08亿元增加约1.76亿元。
上半年研发投入14.92亿元
在研发投入方面，公告显示，今年上半年中微公司研发投入合计14.92亿元，较上年同期增长53.70%，研发投入总额占营业收入比例为30.07%，较上年同期增加1.92个百分点。
截至2025年6月30日，中微公司研发人员的数量为1321人，占公司总人数的比例为50.08%，较上年同期的46.38%上升3.70个百分点，研发人员平均薪酬为31.98万元，较上年同期增长2.56万元。全球员工总数为2638人。
截至2025年6月30日，公司已申请3038项专利，其中发明专利2507项；已获授权专利1901项，其中发明专利1593项。
各类设备市场表现及出货量
中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。其中，公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。针对5纳米及以下更严苛的工艺要求，公司正积极研发下一代机型，以实现更高的刻蚀选择比和均匀性控制，以及达到更稳定的量产表现。在存储芯片制造环节，中微公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。
公司的MOCVD设备也已在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单。
1、CCP 刻蚀设备
公司 CCP 刻蚀设备中双反应台机型 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e 和单反应台机型 Primo HD-RIE 等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品 Primo HD-RIE-e和用于超高深宽比刻蚀工艺的 Primo UD-RIE 持续获得客户订单，其中 Primo HD-RIE-e 在 2025 年上半年累计装机超过 120 个反应台，Primo UD-RIE累计装机接近 200 个反应台。
截至 2025 年上半年，CCP 刻蚀设备累计装机量超过4500 个反应台，较2024年同期增长超过 900 个反应台。其中，双反应台刻蚀产品凭借独特设计，为成熟和先进技术节点的客户提供了均衡的解决方案，持续获得批量订单，截至 2025 年上半年累计装机突破了3300个反应台。单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破，截至 2025 年上半年累计装机接近1200个反应台。
2、ICP 刻蚀设备
报告期内，公司的 ICP 刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50 多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP 刻蚀工艺。截至 2025 年上半年，ICP 刻蚀设备累计装机量超过 1200 个反应台。
3、MOCVD设备
报告期内，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外 LED 的PRISMOHiT3、用于Mini-LED 显示的 PRISMO UniMax 等产品持续服务客户，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中 PRISMO UniMax 产品自 2021 年 6 月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在 Mini-LED 显示外延片生产设备领域处于国际领先。
产能持续扩大
公司位于南昌的约 14 万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18 万平方米的生产和研发基地已投入使用，产能大幅提升；上海临港滴水湖畔约 10 万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确保今后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。
超二十款新设备研发中，打造平台型的集团公司
在新产品研发方面，中微公司目前在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备的开发。
中微公司紧跟市场发展趋势，积极拓展 MOCVD 设备的应用范围；已启动用于红黄光LED的MOCVD 设备开发，目前开发进展顺利，实验室测试已实现优良的波长均匀性。报告期内，公司已付运首台红黄光 LED 专用的 MOCVD 设备至国内领先客户开展生产验证。
中微公司下一代硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备正按计划顺利开发。该设备兼容6 英寸与8英寸工艺，并在厚度及组分均匀性、外延片表面颗粒控制水平、自动化传输等方面实现了性能提升。用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中。
中微公司已开发出六款薄膜沉积产品并推向市场。公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和 ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用。该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻辑客户，验证顺利推进中，为进一步积累市场优势打下基础。
同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD 氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，在满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。
中微公司在现有的金属 CVD 和 ALD 设备研发基础上，同步推进多款CVD 和ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。
中微公司董事长尹志尧表示：“公司开发新设备的速度明显加快。过去需要三到五年，现在只需要两年甚至更短的时间就可以开发出新的设备，并能迅速进入市场，实现量产。目前公司的三十多种设备已经覆盖半导体高端设备的25%到30%，在今后的五到十年，公司计划通过有机生长和外延扩展，逐步覆盖半导体高端设备的50%到60%，成为一个平台型的集团公司。”
展望未来，尹志尧指出，公司将坚持三维立体发展战略，并坚持有机生长和外延扩展相结合的基本策略，以实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展。中微的长期愿景是，在规模、产品、竞争力和客户满意度上，成为全球第一梯队的半导体设备公司。
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编辑：芯智讯-浪客剑
