7月22日，晶圆代工厂商力积电举行第二季法说会并公布财报，自结合并营收为新台币112.78亿元，环比增长1.5%，营业利润为亏损10.22亿元，毛利率约-9%，归属母净利润为亏损新台币33.34亿元，每股亏损新台币0.8元。

力积电指出，目前现金拥有新台币240亿元，第二季12英寸晶圆出货约40万片，相比第一季有所增长，而产能利用率微幅上升至75%，2025年资本支出预期仍维持4.54亿美元。

力积电总经理朱宪国指出，主要受到美元贬值影响，第二季毛利较第一季下滑。此外，这次净损33.3亿元，较前一季净损失增加22.4亿元，主要是因毛利减少新台币4.9亿元，是受美元营收汇损影响，以及兑换净损失增加新台币15.9亿元，持有美元部位汇损无现金流。

近期营运状况，力积电总经理朱宪国给出了五点说明：

首先是逻辑产品线部分，因上半年关税的不确定性提前投片和中国政府补贴政策刺激消费等因素，近来投片降温，第二季投片微幅下降1%，第三季要再观察。此外，近期大中华区DDIC 及CIS 相对较弱，欧美区PMIC 续强。

第二点，DRAM 代工需求因一线厂商退出8GDDR4 市场，促使客户提前备货，需求反转向上，近期投片已近满载。朱宪国表示，虽不如标准型产品有大起大落的行情波动，但在供需带动下，DRAM 代工投片平均售价（ASP）逐月拉高，会因周期反应至三四个月后营收及毛利。

第三点，SLC Flash 经历几季沉寂后，目前终端客户库存较健康，备货意愿较高。力积电24奈米SLCFlash 已进入量产阶段，由于主流厂商计划几年内慢慢退出SLC Flash，新客户设计导入持续进行。

第四点，在硅中介层部分，朱宪国表示，中介层已开始出货，以CoWoS-S 为主，此外CoWoS-L 也提供客户设计导入，产线充分利用DRAM 前段制程（硅电容）与逻辑后段制程（铜产线），未来对取代部分较低毛利之DRAM 及逻辑产品有很大帮助。

同时，力积电董事会已通过中介层扩增产能的资本支出提案，预期今明年对毛利的贡献会逐步浮现。此外，DRAM 四层WoW 堆叠搭配友厂先进逻辑制程芯片的验证也顺利进行中，DRAM 八层WoW 堆叠技术也配合客户开发中，未来连同中介层将成为3D AI Foundy 的主要获利来源。

最后是将为Navitas 供应氮化镓产品部分，朱宪国指出，8英寸GaN 应用在AI 服务器的100V 技术平台开发接近完成，第一批客户送样中，第四季试产。至于650V 因友厂退出GaN 代工市场，近日美、日客户对力积电GaN 代工询问度明显提升。公司也增加机台以扩大GaN 产能，以因应客户及市场未来需求。

编辑：芯智讯-林子