7月7日消息，据台媒《经济日报》报道，晶圆代工大厂近期在晶圆代工市场积极进军高压制程技术平台，并传出将与英特尔在12nm制程上的合作延伸至6nm的同时，还传出已拿下高通先进封装大单的消息。

报道称，联电2024年斥资新台币156亿元投入研发，专注开发5G通信、AI、物联网及车用电子等领域所需的制程技术，并钻研特殊制程，在12nm和14nm特殊制程及3D IC先进封装研发也有进展。

目前联电正积极推进高压制程技术，包括14nm鳍式场效晶体管（FinFET）嵌入式高压制程技术平台（14eHV），并且取得了新进展。

联电董事长洪嘉聪指出，12nm FinFET制程技术平台（12FFC）相较于14nm技术（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分发挥FinFET的优势，可广泛应用于各种半导体产品。与14FFC相比，12nm技术在优化的FinFET设备下，可实现10%的性能提升，通过降低电压减少20%功耗，采用六走线轨道设计，使面积减少超过10%，并节省三层光罩，进一步增强联电成本竞争力。

值得注意的是，近期市场传闻指出，联电正探索与英特尔之间的合作由原来的12nm延伸至6nm先进制程的可能，这也意味着联电将进一步拓展先进制程市场，摆脱成熟制程市场竞争日益激烈，业绩疲软的困境。

此外，在先进封装方面，传闻联电也成功拿到了高通的大单。因为联电自行开发的高阶中介层（Interposer）已经获得高通验证，迈入量产出货倒数计时阶段。业界也看好，联电通过携手高通等一线芯片大厂抢食AI/HPC（高性能计算）先进封装市场商机。

早在2024年底，联电就携手高通展开HPC进封装合作，锁定AI PC、车用，以及AI服务器市场。

供应链透露，联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试，目前开始试产，预计2026年首季有机会量产出货，高通并购置炉管机台放在联电厂房，凸显双方合作紧密。业界分析，此次联电通过高通认证的产品采用1500nF/mm^2电容，主要搭配高通的IC和內存所需要的电容值。

消息称，高通不仅已经向联电下单，甚至购置炉管机台放进联电厂房，显示合作深度高、信任感强。

业界人士指出，联电布局先进封装，先前在制程端仅供应中介层，应用在RFSOI制程，对营收贡献有限。随着高通采用联电先进封装制程打造高速运算芯片，近期双方合作又进一步发展，对联电来说将能降低在成熟制程的低价竞争，闯出一条不同之路。

先进封装技术方面，例如2.5D和3D封装这些封装方式需要将多个芯片堆叠或并排放置，这时候中介层电容就显得特别重要。

据悉，先进封装最关键制程就是需要光刻机制造的中介层，加上需要超高精密程度的硅穿孔，让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片信号可相互联系，联电具备生产中介层的机台设备之外，十年前就已将TSV制程应用超威GPU芯片订单上，等于联电完全具备先进封装制程量产技术的先决条件，是获得高通青睐的主要原因。

对此传闻，联电不评论特定客户，但强调先进封装是该公司积极发展的重点，将携手智原、硅统等转投资事业，以及华邦等存储伙伴，携手打造先进封装生态系。

编辑：芯智讯-林子