近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。

其中650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。

表1 新一代碳化硅MOSFET参数列表

与国际竞品开关损耗对比

图1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比

开关损耗 Eoff/Etotal 在常温和高温下均优于W*/O*国际竞品，高温下Eon与国际竞品W*接近。

图2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比

开关损耗Eoff/Eon/Etotal 在常温和高温下表现优异，与W*/S*国际竞品接近。

在产品交付形态上，基本半导体提供裸芯片和晶圆两种形式之外，在封装方面针对不同应用场景进行了全面布局：1200V/13.5mΩ产品提供TO-247-3和TO-247-4封装；1200V/40mΩ产品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封装；650V/40mΩ产品则提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多种封装选择，为新一代高功率密度、低成本应用开发提供了更为完善的解决方案。

表2 新一代碳化硅MOSFET产品封装形式

在产品可靠性方面，基本半导体建立了严格的闭环开发体系，所有产品均通过车规级以上的关键可靠性项目验证：

高温反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS

高温高湿反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS

高温栅极偏压HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS

高温栅极偏压HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS

封装特性

TO-263-7：贴片封装，体积小巧。源极引脚采用特殊设计，电气性能优异，有效降低损耗与噪声。

HSOP8：薄小外形设计，多引脚小间距布局，配备散热结构，展现卓越电气性能。

TOLL：无引脚设计，体积小巧，电气性能好。具有低封装电阻和寄生电感特性。底部散热设计可支持大电流应用。

TOLT：顶部散热结构，提供更高的热可靠性，特别适合对热管理要求严苛的应用场景。

应用领域

1200V 13.5mΩ分立器件及模块：新能源汽车主驱逆变器、PCS、APF

1200V 40mΩ分立器件及模块：光伏发电、储能系统、充电桩、电焊机、新能源汽车OBC及汽车空调压缩机

750V 10.5mΩ分立器件及模块：新能源汽车主驱逆变器、新能源汽车OBC及DCDC变换器

650V 40mΩ分立器件：AI算力电源、微型逆变器、通讯电源、储能系统

基本半导体表示，此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在导通电阻、开关损耗、热阻等核心参数上已达到行业先进水平。通过持续的技术创新和工艺优化，基本半导体致力于为客户提供更优性能、更高可靠性的功率半导体解决方案。未来，公司将持续加大研发投入，不断突破技术边界，与合作伙伴携手共进，推动清洁能源技术发展，为构建高效、可持续的能源体系贡献力量。