9月28日消息，国产半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商——盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)今日宣布其对300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。公司还宣布，首台Ultra Fn A立式炉设备已于本月底运往中国一家先进的逻辑制造商，并计划于2023年底通过验证。
盛美上海董事长王晖表示：“随着逻辑节点的不断缩小，越来越多的客户为满足其先进的工艺要求，努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一，是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力，我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备，以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台，搭载差异化创新设计，软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”
盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程，以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低，且台阶覆盖率良好，与其他实现模式相比，Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。
Ultra Fn A的特点
盛美上海Ultra Fn A设备以Ultra Fn立式炉设备平台的成功为基础，能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。Ultra Fn A立式炉设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端要求。
可通过简单改变微小的组件和细微的布局对设备进行个性化定制，这使得新型ALD工艺的开发得以迅速提升。其创新设计还巧妙融合了盛美上海成熟的软件技术、可提高耐用性和可靠性的新硬件以及盛美上海独家专利工艺控制IP，以实现快速而稳定的工艺控制。
