7月27日晚间，国产光刻胶厂商南大光电发布公告，宣布公司持股71.67%的控股子公司宁波南大光电材料有限公司（下称“宁波南大光电”）拟通过增资扩股方式，引入战略投资者国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（下称“大基金二期”）。

公告显示，国家大基金二期拟以1.833亿元认购宁波南大光电的新增注册资本 6733.19 万元。本次增资后，宁波南大光电的注册资本由3亿元增至3.6733亿元，大基金二期持股18.33%，南大光电对其持股比例由71.67%降至 58.53%。

本次增资，宁波南大光电投前估值8.167 亿元，投后估值10亿元。

业界认为，国家大基金二期入股宁波南大光电，正是为了助力南大光电加速推进光刻胶的国产进程。

众所周知，光刻胶是半导体芯片制造过程中所必须的关键材料。由于目前光刻机曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生，对应分别为，G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF光刻胶、 ArF光刻胶、EUV光刻胶。

目前，在全球半导体光刻胶领域，主要被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、罗门哈斯、日本信越和富士材料等头部厂商所垄断。其中，在高端半导体光刻胶市场上，全球的 EUV 和 ArF光刻胶主要是 JSR、陶氏和信越化学等供应商，占有份额最大的是 JSR、信越化学，TOK 也有研发。

从国内的光刻胶市场来看，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。

资料显示，宁波南大光电是国家科技重大专项（02专项）之“ArF光刻胶产品开发与产业化”项目的实施主体单位。目前，宁波南大光电已组建了一支具有国际水平的先进光刻胶产品开发和产业化队伍；建成年产25吨的ArF（干式和浸没式）光刻胶产品生产线；研发的ArF光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的客户认证。今年7月初，南大光电在互动平台上表示，公司旗下的ArF光刻胶产品拿到小批量订单，不过他们没有透露具体的客户名单。

编辑：芯智讯-林子