摘要:11月20日消息,据韩国媒体爆料称,三星已确定在美国德州奥斯汀新建采用极紫外光(EUV)技术的半导体工厂,项目总投资规模约100亿美元。此举或将是为应对台积电在美国建5nm工厂的挑战。

继台积电之后,三星将斥资100亿美元在美国建EUV工厂!-芯智讯

11月20日消息,据韩国媒体爆料称,三星已确定在美国德州奥斯汀新建采用极紫外光(EUV)技术的半导体工厂,项目总投资规模约100亿美元。此举或将是为应对台积电在美国建5nm工厂的挑战。

此前5月份,台积电曾宣布将斥资100亿美元在美国亚利桑那州建设一座5nm工艺晶圆代工厂,规划月产能为 20000 片晶圆,该晶圆厂将于2021年动工,于2024年开始量产。

据报导称,据三星以及相关行业人士近日透露,三星电子将在德州奥斯汀建立晶圆厂,并使用EUV光刻机台为客户代工先进制程的芯片,投资规模预估100亿美元,月产能约7万片。

为了实现在2030年超越台积电成为晶圆代工龙头的目标,三星斥巨资向ASML买进EUV机台,三星集团副会长李在镕日前也亲赴ASML在荷兰总部,希望ASML能够供应更多的EUV光刻机,为的就是希望能在先进制程上打败台积电。

韩媒曾报导,三星还进攻客制化系统单芯片(SoC) 团队,让旗下系统LSI 部门成立「 Custom SoC 」客制化单芯片团队,与全球各大ICT 厂商建立紧密合作关系。

据悉,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元成为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。