摘要:日前,三星率先量产了136层堆栈的第六代V-NAND闪存。而在此之前的6月份,韩国SK海力士公司也宣布研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。不过这些还不是堆栈闪存的极限,SK海力士预计在2030年推出800+层的闪存,可以轻松制造出100-200TB容量的SSD硬盘。

SK海力士公布800+层堆栈闪存路线图,SSD硬盘杀向200TB-芯智讯

日前,三星率先量产了136层堆栈的第六代V-NAND闪存。而在此之前的6月份,韩国SK海力士公司也宣布研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。不过这些还不是堆栈闪存的极限,SK海力士预计在2030年推出800 层的闪存,可以轻松制造出100-200TB容量的SSD硬盘。

在日前的FMS国际闪存会议上,存储芯片大厂SK海力士公布了他们的闪存路线图,具体如下:

  • V4 72层堆栈:目前大规模量产中
  • V5 96层堆栈:目前也在大规模量产中,产能即将超越V4
  • V6 128层堆栈:2019年Q4季度即将规模量产
  • V7 176层堆栈:2020年问世
  • 500层堆栈:2025年问世,TB/wafer容量比提升30%
  • 800 堆栈:2030年问世,TB/wafer容量比提升提升到100-200TB

目前SK海力士生产的128层堆栈闪存核心容量是1Tbit,176层堆栈时核心容量1.38Tbit,预计500层堆栈时核心容量可达3.9Tbit,到800层堆栈时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。

当前SSD硬盘最大容量在15-16TB左右,不过三星早就有30TB以上的SSD硬盘了,按照6倍核心容量的增长来算,未来SSD硬盘未来容量可达200TB左右,这个容量要比HDD硬盘还高了,之前希捷公布的HDD硬盘路线图显示未来在HAMR等先进技术支持下,HDD硬盘也能达到100TB容量,不过那至少是2025年之后的了。