摘要:5月15日,在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星表示,未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。

5月15日,在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星表示,未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。

随着5G及物联网技术的发展,数据正呈现出爆炸式的增长,由此对于存储的需求也是越来越大。各大存储厂商也是在不断的研发更大容量的3D NAND。

目前全球主要的3D NAND Flash 大厂,包括三星、SK 海力士、东芝、美光等,都已经量产了64层堆叠的3D NAND Flash,不少已经开始更高的72层、96层甚至128层堆叠的3D NAND Flash上取得了进展。

自去年以来,三星除了扩大64层3D NAND生产比重,还在2018年抢先量产了着采用96层堆叠的三星第五代V-NAND闪存芯片,并于三星韩国华城、平泽厂大规模量产。大幅领先竞争对手。与此同时,三星128层3D NAND研发也在加速。

而为了进一步巩固其领先的优势,三星正在加速提高3D NAND的产能,并加码更高容量的3D NAND的研发。据韩国产业链的消息人士透露,三星去年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元,2019年更是会提高到90亿美元。而这些投入首先是用于提高3D闪存的产能,包括位于平泽市和中国西安市的工厂,其次便是更先进的3D NAND技术的研发。

在目前摩尔定律即将发展到极限的情况下,3D堆叠技术成为了NAND Flash在保持成本有限增长的情况下大幅提升存储容量的关键。那么随着3D堆叠的层数越高,技术难度也将会越高,未来是否会遇到大的瓶颈?

对此,三星在GSA MEMERY+论坛上表示乐观。三星透露将有望在今年量产128层3D NAND,并且预测在未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。

未来10年内3D NAND堆叠层数将达1000层!SSD将被彻底革命!-芯智讯

1000层堆叠的3D NAND是什么概念?目前东芝、西数及三星的64层堆叠的3D NAND最高已经可以做到512Gbit核心容量(64GB)。另据业内专家告诉芯智讯,128层堆叠的3D NAND,最高可以做到2Tbits的核心容量,也就是256GB容量。如果堆叠层数突破1000层,则意味着单die的核心容量甚至有可能达到2TB。这确实有点吓人!

要知道目前SSD硬盘上通常是由4颗NAND芯片组成的,而一旦500层甚至1000层堆叠的3D NAND的推出,则意味着SSD将会被彻底革命。

编辑:芯智讯-浪客剑