8月9日，中芯国际公布了2018财年第二季度财报。根据财报显示，第二季度营收8.907亿美元，创下新高，相比较去年同期7.512亿美元的营收增长了18.6%，毛利为2.176亿美元，与去年同期1.941亿美元相比增长了12.1%。而此次二季度营收及利润均同比大幅增长，主要得益于主要得益于产能利用率提升以及产品组合改善，比如28nm占比提升。与此同时，中芯国际的14nm制程更是获得重大进展！

目前中芯国际是中国大陆的第一大晶圆代工厂。在从全球来看，中芯国际的排名也不算差。根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院数据显示，中芯国际在2017全球十大晶圆代工厂中排名第五。

但是，如果从制程工艺技术上来看，中芯国际就与台积电、三星、格芯和联电等厂商有着较大的差距。

从14nm的量产时间上来看，台积电、三星均已在2015年量产14nm/16nm制程，格芯、联电也于2017年量产14nm制程，显然，即使中芯国际14nm明年量产，但是仍落后竞争对手近2-4年的时间。这样的差距不可谓不小。所以中芯国际要想缩小差距，就必须加快14nm的量产进度。

早在今年6月份的时候，业内就曾传出消息称，中芯国际最新的 14nm FinFET 制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到 95% 的水准。这也意味着中芯国际完成2019年正式量产14nm的目标已经不成问题。

在中芯国际发布的最新公告当中，中芯国际联席首席执行官赵海军和梁孟松表示，“我们欣喜地告诉大家，在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。”

而在今天的中芯国际第二季度业绩说明会上，梁孟松进一步指出，14nm第一代FinFET目前PDK1.0版本已经给到客户，预计2019年上半年风险量产；同时，下一步规划第二代FinFET预计电源速度与芯片面积也将有大幅度提升。

显然，中芯国际的14nm工艺量产进度比外界预期的要快了很多。而这其中，梁孟松可谓是功不可没。

早在去年4月，业内就有传闻半导体行业大咖梁孟松很快将加盟中芯国际。不过，直到去年10月，中芯国际才正式宣布梁孟松加盟任Co-CEO（联席CEO）。而中芯国际之所以力邀梁孟松加盟，也正是为了在14nm制程工艺上取得突破。

在加盟中芯国际之前，梁孟松曾担任台积电资深研发处长、三星半导体研发部总经理，而三星当时之所以能够抢先台积电量产14nm，从台积电挖来的梁孟松可谓是功不可没。而此次中芯国际能够在14nm工艺上取得快速的突破，梁孟松及其他所带领的团队必然是发挥了很大的作用。据业内消息，梁孟松加盟中芯国际之时，还从中国台湾地区及韩国带来了相关技术人员。

据悉，梁孟松上任后进行了一系列调整：加强研发队伍建设，强化责任制，调整更新14nm FinFET规划，将3D FinFET工艺锁定在高性能运算、低功耗芯片应用等。

在2017年第四季度报中，中芯国际就表示14nm研发进程进展顺利，预计将在2019年上半年量产14nm FinFET工艺技术，比原先预期提前了半年。 而此次第一代14nm FinFET技术研发已进入客户导入阶段，再度为14nm的量产加速。

二季度营收创新高

中芯国际Q2营收创新高，单季度营业收入8.91亿美元，同比增长18.57%，环比增长7.18%；毛利率为24.46%，同比下滑1.29pct，环比下滑2.04pct，主要是由于Q1授权费用较高；归母净利润为5160万美元，同比增长42.26%，环比增长75.64%。

如剔除授权费用影响，中芯国际Q2单季营收8.38亿美元，环比增长15.8%；毛利率为19.7%，环比提高4.2pct，主要得益于产能利用率提升以及产品组合改善。中国区收入同比增长38%，环比增长14%，作为中国首选晶圆代工厂，中芯国际必将受惠于中国半导体市场的成长机遇。

资料来源：中芯国际

28nm产品占比大幅提升

从制程占比上来看，二季度中芯国际28nm产品占比大幅提升，由一季度的3.2%提升至8.6%，除28nm PolySiON以外，中芯国际上季度对HKC相关工艺做了重大改进，目前28nm HKC持续上量，良率已达到业界水准，另外28nm HKC 技术开发也已完成，我们预计使用新技术的HKC 有望于2018年底量产。目前中芯国际成熟制程业务占比常年保持在50%以上，是业务营收的主力军。中芯国际的成熟制程包含90nm，0.13/0.11微米、0.15/0.18微米、0.25微米、0.35微米。

90纳米：中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产，90纳米技术可以满足多种应用产品如无线电话，数字电视，机顶盒，移动电视，个人多媒体产品，无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗，卓越性能及高集成度的要求。

0.13微米/0.11微米：相比于0.15微米器件的制程技术，0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。多用于单阀值电压MOSFET、高阻多晶硅、2种MiM电容器、只读存储器、静态随机存取存储器、厚金属工艺。

0.15微米/0.18微米：0.15微米工艺技术包括逻辑、混合信号/RF，高压，BCD,EEPROM和OTP,SRAM模块。0.18微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等。

0.25微米：0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率，适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。中芯国际同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。

0.35微米：可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。0.35微米制程技术包括逻辑电路，混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、EEPROM和OTP芯片。

资料来源：中芯国际

NOR Flash、电源类、CIS等产品填充产能顺利！产能利用率持续改善！

中芯国际称产能提升主要由于产品组合改善，比如以兆易NOR Flash、豪威CIS产品、电源类产品等为代表的filler product爬坡持续改善产能情况，二季度产能利用率增长至94.1%，相较上季度增加5.8个百分点（较去年同期增长8.4个百分点），二季度8寸等值晶圆出货量达126万片，同比增长24.1%，环比增长16.1%。

资料来源：中芯国际

编辑：芯智讯-林子    部分内容源自：中芯国际、TrendForce集邦、中泰证券、digitimes