摘要:今天,三星在官网还宣布,将投资60亿美元(约合人民币380亿)在韩国华城(Hwaseong)兴建新的半导体工厂,用于扩充7nm EUV的产能。该工厂已经破土动工,2019年下半年竣工,2020年之前投产。

投资380亿!三星7nm EUV工厂破土动工-芯智讯

2月22日,高通三星几乎同时在官网上发布新闻稿,宣布高通的5G移动芯片将由三星代工,后者新的骁龙芯片将采用三星的7nm工艺!同时,三星表示,三星和高通的代工合作关系将至少维持 10 年。

去年5月,三星首秀了7nm LPP EUV工艺,预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍,为单纳米半导体技术的发展铺平道路。同年7月,三星放言,在2018年会比对手台积电更早地量产7nm。此番再次拿下高通大订单,意味着三星这项新工艺在良品率上已经得到了较好的控制,即将开始量产。之前其曾表示采用这一工艺的芯片将会在今年的下半年进行试产,其将会在三星位于韩国华城市的三星半导体工厂生产。

三星透露,比较当前的10nm FinFET工艺,7nm LPP EUV工序较少、良率较高,将实现面积缩小40%、性能提升10%、功耗下降35%。在新工艺加持下,骁龙5G芯片组可减少占位空间,让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外,结合更先进芯片设计,将可明显增进电池续航力,旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了!

今天,三星在官网还宣布,将投资60亿美元(约合人民币380亿)在韩国华城(Hwaseong)兴建新的半导体工厂,用于扩充7nm EUV的产能。该工厂已经破土动工,2019年下半年竣工,2020年之前投产。

投资380亿!三星7nm EUV工厂破土动工-芯智讯

鸟瞰华城工厂,图片来自三星官网

据悉,光刻机最核心的元件就是紫外光源,目前常见的是ArF(氟化氩),但在7nm时代,必须由波长更短的DUV(深紫外)和EUV(极紫外)进行更精细的绘制工艺。

三星将把EUV设备使用在7nm LPP(Low Power Plus)节点上,产品涵盖手机、服务器、网络设备、高性能数据中心等。

资料显示,三星在韩国还有位于Giheung(京畿道器兴)、Pyeongtaek(平泽)的半导体工厂,海外工厂则有两座,分别位于美国德州的奥斯汀和中国的西安。

2017年,三星在半导体事业中的投资达到了260亿美元,创下历史新高,这主要得益于其存储芯片的巨大需求。