摘要:目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

日前SEMI(国际半导体产业协会)“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。

2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元,成长超过55%,全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。

三大国产存储器厂商进展神速:内存/SSD明年开始量产-芯智讯

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司,而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储,公司注册资本189亿元。

2016年12月30日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。

这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。

今年6月,长江存储的厂址区域正在加速打桩工作中。预计2018年4月将实现设备安装,第一阶段每月的产能大约在50000片,大规模生产的产品将是长江存储64层的3D NAND产品。

相信,2018年第一家具有中国自主知识产权的 3D NAND 即将诞生。如果说2017年是东芝的天下,2018年必将在中国存储器行业划下浓重的一笔。

总投资额达72亿美元的合肥长鑫12寸存储晶圆厂,以生产 19nm DRAM 产品为主,预计2019年底将实现达12.5万片的月产能。

据悉,该厂的生产设备安装时间预计在2018年第一季度,目前已开始与晶圆供应商进行商谈,以确保2018年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后,月产能预计将高达12.5万片,其规模将与韩国 SK Hynix 现在的产能差不多,比福建晋华的存储器产能更高,仅次于紫光在武汉的 12 寸晶圆厂月产能20万片的规模。

据了解,长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员,构成陆日台的存储器研发团队,预定2017年人才储备达到千人规模、2018年上看2,000人。

目前可见,合肥长鑫的施工速度要比长江存储的速度快一些,厂房正在加速建设中,预计9月完成。从产品的原型设计,到试量产仍需要一年多的时间,加上产能的提升,预计2019年2月才能实现大规模量产,2019年底有望实现12.5万片的月产能。

稿源:ZOL