摘要:根据韩国媒体给出的报道称,三星将从今年7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米,而在这里三星将量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。

目前三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,为了继续扩大规模和市占率,他们正积极加大相应的投入。

根据韩国媒体给出的报道称,三星将从今年7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米,而在这里三星将量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。

三星全球最大闪存芯片工厂7月投产:量产64层3D NAND闪存-芯智讯

三星第四代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S

该新工厂从2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆,3D NAND闪存芯片将占据一半以上。

IHS Markit发布的报告显示,三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

稿源:快科技