EUV技术仍不成熟,Intel、三星7nm遇阻

虽然现在各家芯片代工厂都在加速推进7nm/5nm工艺,但是一个现实问题是,用于10nm以下芯片生产的关键技术或者说设备EUV(极紫外光刻)光刻机仍面临不少商用难题。

EUV技术仍不成熟 Intel、三星7nm遇阻

昨日在加州举办的国际光电工程学会(SPIE)年度会议上,三星和Intel的专家纷纷坦言,EUV推进的困难。

三星表示去年底他们生产出了首款EUV光罩,瑕疵已经很少。而Intel则是从1992年就着手开发,去年底为晶圆厂出货其首款达到商用品质的EUV光罩,目前已经参与到14、10和7nm无缺陷网线生产。

在现有的8个核心EUV计划中,有6项计划已经准备好或即将就绪。英特尔EUV计划负责人Britt Turkot指出,用于覆盖EUV晶圆的防尘薄膜仍在开发中,而用于检测EUV光罩的新工具也还验证中。

不过,三星表示,他们仍然认为EUV可用于其7nm制程节点,而Intel虽然持同样看法,但表示需等待完全成熟后导入。

目前在最高端的沉浸式光刻机中,荷兰ASML(阿斯麦)占有80%的份额,其中NXE 3350B是全部14套EUV系统中的绝对主力(累计6套),而其单价高达6亿元人民币,等同于一台F35战斗机的价格。

Intel是3350B最资深的使用者,但是EUV小组专家Britt Turkot称,虽然其可作业时间超过了75%,但一旦运行,光罩问题就会层出不穷。

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