联电携手力旺重启存储芯片代工，预计2027年在日本工厂量产

4月22日，据台媒《经济日报》报道，在当前全球NAND Flash面临严重缺货之际，日本存储龙头在产能需求下，主动与中国台湾晶圆代工大厂联电接触，使得联电计划携手半导体IP大厂力旺的相关技术，在联电日本工厂进行2D NAND 与NOR Flash芯片代工业务。这不仅是联电多年后重返存储领域，更将创下台企史上首度在日本生产存储芯片的纪录。

报道援引消息人士透露，这项备受瞩目的行2D NAND 与NOR Flash芯片量产计划将落脚于联电日本12英寸晶圆厂USJC。该厂前身为富士通三重市12英寸晶圆厂，长期具备逻辑与存储双重制造经验，且深耕车载与工业应用领域多年，被业界视为承接低密度存储芯片代工的绝佳基地。当前，USJC 的成熟制程极为适合切入45/40纳米的MLC NAND 产品，计划于2026 年下半年展开试产、2027年正式量产。这使得联电能在不影响主力逻辑代工产能的情况下，灵活调配资源。

至于，这次两家公司的合作关键，在市场上包括铠侠等一线NAND大厂纷纷退出2D NAND 制造，将资源全力集中于高阶3D NAND 发展。然而，2D NAND 与NOR Flash 在车载、工业控制、消费性电子等领域需求依然庞大，且对产品生命周期的要求动辄长达十年以上，导致供应缺口持续扩大。因此，日本NAND大厂着眼于长期供应稳定性与地缘政治风险分散，积极建立替代产能，进而促成了此次合作。

事实上，联电与力旺一直是长期合作伙伴。两家公司早期都曾涉足存储技术领域，随后才分别转向逻辑制程和半导体知识产权（IP）方向。双方的合作渊源可以追溯到早期——联电将力旺的OTP（一次性可编程非易失性存储器）技术引入0.18微米及以下制程平台。此后，2013年，力旺宣布与联电扩大技术合作，将OTP和MTP技术部署于联电0.18微米至28纳米制程平台，覆盖了从成熟到先进的多个制程节点。

2020年，联电、力旺及其子公司熵码科技共同宣布，开发全球首个PUF 应用安全嵌入式闪存方案（PUFflash），导入联电55纳米eFlash平台。 2021 年，力旺与联电又再宣布，力旺的ReRAM（ 电阻式随机存取存储器） IP 已通过联电40纳米认证。直到2023 年，力旺的RRAM IP 也宣布通过联电22纳米超低功耗平台可靠度验证，并将合作开发车规级RRAM。

根据Facebook社团JOV 的报导，理论上，逻辑制程无法直接转换生产存储制程，但发展到28纳米制程的嵌入式非易失性存储（eNVM） 技术，已能将NOR Flash 结构整合入逻辑电路中。相较于技术门槛更高的3D NAND 或无法互通的DRAM，逻辑晶圆厂转作2D平面架构的NAND与NOR Flash 是可行性最高的便捷路径。因此，这次通过“IP＋制程整合” 模式的合作，再能以最少硬件与流程更动，却能加速良率爬升与技术导入时程情况下，传出联电内部正评估以28纳米制程转换生产。

整体来说，联电近期才宣布下半年起调涨成熟制程代工价格，若能顺利搭上这波存储量价齐扬的热潮，这将有望成为带动联电营运大幅转变的强大动能。

针对此传闻，联电目前表示不予评论，力旺亦尚未做出回应。因此，市场目光已全面聚焦于联电即将在本月29 日举行的法说会，期待届时能对这项存储代工新业务有更清晰的介绍。

编辑：芯智讯-林子