3月18日消息,据韩国媒体报道,SK海力士正在重组其中国业务,计划关闭于2006年在中国上海成立的销售公司,将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡,作为其在中国的业务中心。
据韩国媒体TheElec近日报导,SK海力士最新的公告披露,2023年四季度SK海力士收到的客户预付款较上一季度大幅增长了1.3万亿韩元(约合70.46亿人民币),单季增幅创3年新高。据悉,这些预付款主要来自SK海力士的大客户英伟达(Nvidia)。
据路透社3月12日报道,三星计划采用SK海力士所采用的高带宽内存(High Bandwidth Memory,HBM)制造技术,以期在竞争越来越激烈的HBM竞赛中追赶竞争对手。
3月12日消息,据韩国媒体TheElec引述未具名消息人士报导称,三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率,目前已恢复到了70%左右。
3月12日消息,据英国《金融时报》报道,随着存储制程技术的快速更新换代,三星、SK海力士等存储芯片制造商经常需要替换旧的半导体设备。过去,这些被淘汰的设备往往会被转售至二手市场。然而,近期由于担心违反美国针对中俄的半导体出口管制规定,三星和SK海力士已变得极为谨慎,不再将旧半导体设备转售至外部市场,而是选择将其堆积在仓库中,以免触及美国敏感的神经。
据路透社报道,近日,西部数据宣布现任公司CEO David Goeckeler将出任独立后的NAND Flash新公司的CEO,而西部数据全球营运业务部行政副总裁Irving Tan将接任西部数据CEO。
3月4日消息,据韩国媒体DealSite报导,SK海力士、美光等HBM厂商正面临良率低迷的窘境,为了新的HBM3e能够通过英伟达(NVIDIA)下一代AI GPU的质量测试,彼此正在激烈竞争。
据彭博社3月4日报道称,韩国国家情报院(NIS)于当地时间周一表示,朝鲜黑客组织已侵入至少两家韩国芯片制造商的服务器,导致了产品设计图纸和设施现场照片以及其他敏感数据的泄露,因为朝鲜希望逃避制裁并为武器计划生产自己的半导体。
2月21日消息,据外媒Moneytoday报道,韩国存储芯片大厂SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作,并且顺利完成了英伟达(NVIDIA)历时半年的性能评价,计划于今年3月开始大规模生产HBM3E,并在4月针对英伟达供应首批产品。
2月3日消息,据《韩国商报》报道,在近日的“SEMICON 韩国 2024”展会上,SK海力士副总裁Chun-hwan Kim透露,该公司HBM3E内存已经量产,并计划在 2026 年开始大规模生产 HBM4。