英特尔CEO：Intel 18A预定于明年一季度进入试产阶段
11月8日消息，据日经亚洲评论报道，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）于 7日在中国台北“Intel Innovation Day”论坛指出，Intel 18A已研发完成，即将于2024年一季度进入测试生产阶段。
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三星公布芯片背面供电技术：可使芯片面积缩小14.8%，布线长度减少9.2%！
8月12日消息，台积电、三星、英特尔等晶圆制造大厂都在积极布局背面供电网络技术（BSPDN），并将导入尖端的逻辑制程的开发蓝图。据韩国媒体 The Elec 报道，继英特尔公布了其命名为“PowerVia”的背面供电技术将导入Intel 20A制程工艺之后，三星电子在此前日本VLSI研讨会上也公布了其背面供电技术的研究结果，也将用于其2nm制程工艺。
英特尔PowerVia背面供电技术将提升6%运算频率
8月7日消息，处理器大厂英特尔日前介绍了其PowerVia背面供电技术，并指出Intel 20A将是旗下首个采用PowerVia背面供电技术及RibbonFET全环绕栅极晶体管技术的节点制程，预计将于2024年上半年达到生产准备就绪的阶段，将应用于未来量产消费性的ARL处理器平台，而目前正在晶圆厂启动First Stepping的前期阶段。
英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电，突破互连瓶颈
英特尔宣布在业内率先在产品级测试芯片上实现背面供电（backside power delivery）技术，满足迈向下一个计算时代的性能需求。作为英特尔业界领先的背面供电解决方案，PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。通过将电源线移至晶圆背面，PowerVia解决了芯片单位面积微缩中日益严重的互连瓶颈问题。
反超台积电！英特尔宣布2024年量产2nm，代工业务获高通、亚马逊力挺！
2021年7月27日，英特尔CEO帕特·基辛格在“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上发表演讲。在这次线上发布会中，英特尔首次公布了未来数年的制程工艺和封装技术路线图，并对英特尔的工艺节点进行了重新命名。同时发布了全新的晶体管架构RibbonFET 和背面电能传输网络PowerVia，以及全新的Foveros Omni和Foveros Direct封装技术。
