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瑞萨电子已将MRAM用于MCU当中

瑞萨电子
2月22日消息,据外媒businesswire报道,瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。该微控制器单元 (MCU) 测试芯片采用 22 纳米工艺制造,包括一个 10.8 兆位 (Mbit) 嵌入式 MRAM 存储单元阵列。它实现了超过 200 MHz 的随机读取访问频率和每秒 10.4 兆字节 (MB/s) 的写入吞吐量。

三星展示全球首个基于MRAM的内存计算

1月13日消息,三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已成功展示世界上首个基于 MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存计算。有关这一创新的论文于 1 月 12 日发表在《Nature》网站上,并将在即将出版的《Nature》杂志印刷版上发表。

专注于MRAM芯片研发,亘存科技完成数千万元Pre-A轮融资

专注于MRAM芯片研发,亘存科技完成数千万元Pre-A轮融资
11月2日消息,据36氪昨日报道,专注于 MRAM 及相关产品设计开发的 Fabless 企业亘存科技,目前完成了由深圳高新投正轩基金领投,正轩投资、百度风投、老股东普华资本及陆石投资跟投的数千万元 Pre-A 轮融资。本轮融资主要用于芯片优化、迭代以及团队扩充。