2月22日消息,据外媒businesswire报道,瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。该微控制器单元 (MCU) 测试芯片采用 22 纳米工艺制造,包括一个 10.8 兆位 (Mbit) 嵌入式 MRAM 存储单元阵列。它实现了超过 200 MHz 的随机读取访问频率和每秒 10.4 兆字节 (MB/s) 的写入吞吐量。
9月7日消息,近日两位半导体分析师撰写了一份新兴存储器报告,认为 MRAM 在需要实时处理和分析数据的边缘计算设备中具有取代 SRAM 和 NOR 闪存的良好前景。
5月16日消息,汽车芯片大厂恩智浦半导体 (NXP) 宣布携手台积电,推出业界首款采用 16nm FinFET工艺的车用嵌入式MRAM(Magnetic Random Access Memory,磁性随机存储器)。
1月13日消息,三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已成功展示世界上首个基于 MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存计算。有关这一创新的论文于 1 月 12 日发表在《Nature》网站上,并将在即将出版的《Nature》杂志印刷版上发表。
11月2日消息,据36氪昨日报道,专注于 MRAM 及相关产品设计开发的 Fabless 企业亘存科技,目前完成了由深圳高新投正轩基金领投,正轩投资、百度风投、老股东普华资本及陆石投资跟投的数千万元 Pre-A 轮融资。本轮融资主要用于芯片优化、迭代以及团队扩充。
去年7月,三星联合IBM展示了用于服务器、数据中心的MRAM,速度比闪存快10万倍,而且不丢失数据。经过数月的研发,三星加入了自旋转矩技术(STT),可以加大降低功耗,从而应用到移动设备上来,也就是手机实现内存、闪存二合一。