抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片
目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm，台积电此前表示，2022年下半年将量产3nm工艺，不过在3nm节点台积电依然选择FinFET晶体管技术，而三星则选择了GAA（Gate-all-around）技术。近日，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。
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首发GAA晶体管技术，三星3nm工艺成功流片
目前全球已量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。
三星展示全球首个3nm SRAM芯片：基于MBCFET技术，写入电压低至230mV
三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出这种工艺，目前关于此工艺的消息甚少。不过，近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上，首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，并公布了3GAE工艺的一些细节。
