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High-NA EUV光刻的挑战与应对方案!

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半导体技术的未来通常是通过光刻设备的镜头来看待的,尽管几乎永远存在着极具挑战性的技术问题,但光刻设备仍能为未来的工艺节点提供更好的分辨率。

ASML透露0.75 NA EUV光刻设备或​将在2035年到来!

每种曝光技术每晶体管成本的转变和未来预测
据日本媒体mynavi报道称,ASML 首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 近日在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表了题为“Extending Lithography into the 2030s to Support the World-Changing Semiconductor Industry”的演讲。他在演讲中强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术。

ASML CEO:High-NA EUV将于2024年出货,每台价格至少3亿欧元!

High-NA EUV
11月15日消息,综合韩联社、koreatimes报道显示,全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克(Peter Wennink)于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示,ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货,每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。

ASML新一代EUV光刻机万事俱备:逼近物理极限

ASML新一代EUV光刻机万事俱备:逼近物理极限
光刻机在半导体领域一向是个热门话题,这个能一次又一次突破工艺极限的设备仿佛一个时光机器,连接着芯片的现在和未来。从ASML宣布将推出下一代光刻机开始,人们的目光就从当前最新一代的0.33 NA光刻系统转移到了下一代0.55NA 光刻系统身上。

imec展示最新High-NA EUV技术

近日,比利时微电子研究中心(imec)于国际光学工程学会(SPIE)举行的先进光刻成形技术会议上,展示其High-NA(高数值孔径)光刻技术的重大进展,包含显影与蚀刻制程开发、新兴光刻胶与涂底材料测试、以及量测与光罩技术优化。imec与台积电、英特尔等国际大厂有密切合作,业界预期先进制程在2025年之后将进入埃米(angstorm)时代,High-NA技术将是量产关键。