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为提升HBM良率，传三星跟进SK海力士采用MUF技术

据路透社3月12日报道，三星计划采用SK海力士所采用的高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）制造技术，以期在竞争越来越激烈的HBM竞赛中追赶竞争对手。

12月29日消息，据韩国媒体Biz.Chosun透露，英伟达（NVIDIA）已向 SK 海力士、美光等公司订购大量 HBM3E 内存，为其 AI 领域的下一代产品做准备。但是英伟达的大量采购，限制了其他厂商对于有限的HBM内存的获取。

9月2日消息，据花旗银行的最新报告显示，三星将在今年四季度开始向英伟达供应新一代HBM3高带宽内存。

8月23日消息，据《韩国经济日报》22日引述业界消息报道称，三星的第四代HBM产品“HBM3”及先进封装服务最近已通过了AMD的品质测试。AMD的Instinct MI300系列AI芯片计划采用三星先进封装服务和HBM3。

7月20日消息，据韩国媒体The Elec报导，为应对数据中心GPU需求大涨，NVIDIA（英伟达）将增加新的先进封装供应商，以分散其所需的第三代HBM（高带宽内存）及 2.5D 封装订单，可能会将部分订单交给三星电子，将打破目前台积电一家独吞全部订单的局面。

6月27日消息，据韩媒KoreaTimes报道，业内人士称三星将在2023年下半年大规模量产HBM内存芯片，以满足日渐增长的人工智能（AI）市场需求，同时追赶目前HBM市场的领导者SK海力士。

4月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布了2023年一季度财报，营收5.088万亿韩元，相比去年同期12.156万亿韩元，大幅下滑58.1%。即使与上一季度的7.67万亿韩元相比，也下滑了34%。

4月20日，SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。

10月22日消息，据韩国存储大厂SK 海力士宣布，其已成功开发出HBM3 DRAM 内存，是全球首家开发出新一代高带宽内存(HBM)，也是HBM 系列内存第四代产品。新一代HBM3 DRAM不仅提供更高带宽，还堆叠更多层数DRAM 以增加容量，提供更广泛应用解决方案。

8月23日消息，在 HotChips33 年度会议期间，台积电介绍了CoWoS先进封装技术路线图。此外，台积电还展示了为下一代chiplet（小芯片，或称芯粒）架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。

8月17日，存储技术厂商Rambus公布了他们的HBM3内存接口子系统方案，数据传输率高达惊人的8.2Gbps，带宽也因此首次突破1TB/s，达到了1.075TB/s。