业界 SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,已向客户提供样品 4月20日,SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字节)**的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。2023年4月20日
业界 SK海力士开发出HBM3 DRAM内存, 较上一代整体带宽提高78% 10月22日消息,据韩国存储大厂SK 海力士宣布,其已成功开发出HBM3 DRAM 内存,是全球首家开发出新一代高带宽内存(HBM),也是HBM 系列内存第四代产品。新一代HBM3 DRAM不仅提供更高带宽,还堆叠更多层数DRAM 以增加容量,提供更广泛应用解决方案。2021年10月22日