三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程
11月3日消息，据外媒报导，韩国三星电子近日告诉投资者，该公司将于2024年下半年开始使用其第二代3nm（SF3）制程技术及性能增强版的4nm（SF4X）制程技术来生产芯片。预计凭借这两个制程节点，将显著提高三星在晶圆代工市场的竞争地位，并藉由新制程来争取生产客户的新型产品。
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走向垂直：Gate All around、3D DRAM、3D NAND
10月16日消息，据semianalysis报道，大型私营半导体设备公司所剩无几，其中最突出的两家是日本国际电气（Kokusai Electric ）和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司，都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言，情况非常简单，用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。
美国宣布对华实施出口新禁令：涉及EDA软件、氧化镓和金刚石材料等四项技术
当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧（PGC）在内的四项技术实施了新的出口管制。
三星宣布3nm量产！真领先台积电，还是“赶鸭子上架”？GAA技术有何优势？
6月30日，正如之前外界传闻的那样，三星电子今天正式对外宣布，其已开始大规模生产基于3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）制程工艺技术的芯片，这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业。
台积电2nm细节曝光：功耗降低30%！成熟制程产能2025年将提升50%
当地时间6月16日，晶圆代工巨头台积电在北美召开了2022年台积电技术研讨会。不仅公布了台积电下一代的2nm制程技术的部分细节信息，同时还透露，通过在中国台湾、中国大陆和日本建设新晶圆厂或扩产，预计到2025年，台积电的成熟制程的产能将扩大约50%。
台积电正式公布2nm： 采用GAAFET晶体管架构，功耗降低30%
抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片
目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm，台积电此前表示，2022年下半年将量产3nm工艺，不过在3nm节点台积电依然选择FinFET晶体管技术，而三星则选择了GAA（Gate-all-around）技术。近日，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。
三星展示全球首个3nm SRAM芯片：基于MBCFET技术，写入电压低至230mV
三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出这种工艺，目前关于此工艺的消息甚少。不过，近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上，首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，并公布了3GAE工艺的一些细节。
