Rapidus董事长：日本尖端制程技术将追上台积电与英特尔，缩小20多年技术差距
12月14日消息，据日本媒体报道，在近日召开的SEMICON Japan 2023活动上，由日本政府支持的新创晶圆代工厂Rapidus董事长东哲郎表示，他相信日本能够在尖端晶圆制造技术竞赛上，迎头赶上台积电与英特尔等领先者，缩短多达20年的落后差距。
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三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程
11月3日消息，据外媒报导，韩国三星电子近日告诉投资者，该公司将于2024年下半年开始使用其第二代3nm（SF3）制程技术及性能增强版的4nm（SF4X）制程技术来生产芯片。预计凭借这两个制程节点，将显著提高三星在晶圆代工市场的竞争地位，并藉由新制程来争取生产客户的新型产品。
三星1.4nm工艺细节首次曝光
10月31日消息，据DigiTimes援引韩国媒体The Elec的报道称，三星表示，其即将推出的 SF1.4（1.4 nm级）工艺技术将把纳米片的数量从 3 个增加到 4 个。此举有望为性能和功耗带来显着的好处。
日本晶圆代工厂Rapidus已派遣100名工程师前往IBM学习2nm技术
6月2日消息，据日本经济新闻报导，日本晶圆代工厂Rapidus 计划派出 100 名工程师到 IBM 学习 2nm芯片生产所需的环绕栅级 (GAA) 晶体管技术。
三星宣布将在2027年量产1.4nm
近日，在加利福尼亚州圣何塞举行的三星代工论坛上，三星电子公布了其芯片制造业务的未来技术路线图，宣布在2025年开始大规模量产2nm工艺，更先进的1.4nm工艺则预计会在2027年投产，主要面向高性能计算和人工智能等应用。
传美国将对华断供GAA技术相关的EDA工具
8月3日消息，据外媒Protocol报道，美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制。据悉，该软件是设计和制造最先进的人工智能芯片至关重要的下一代技术。
三星计划于2025年量产2nm芯片
6月20日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造2纳米GAA（Gate-all-around）工艺来追赶台积电。
三星3nm晶圆全球首秀，将抢先台积电量产
5月23日消息，三星曾在去年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，宣布将于2022年上半年领先台积电量产3nm制程。近日，在美国总统拜登参观三星平泽晶圆厂之时，三星首次公开展示了其3nm工艺制造的12英寸晶圆。按计划，三星将在今年Q2季度量产，比台积电还要早一些。
反超台积电，三星宣布3nm GAA工艺2022年量产！2nm将于2025年量产
10月7日消息，在今日的举行的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星推出了全新的17nm工艺，并宣布将于2022年上半年量产3nm制程，更先进的2nm制程将于2025年量产。
高通CEO：采用英特尔代工可带来更具弹性的供应链，尚无具体产品
此前英特尔已宣布，高通将会成为首批采用英特尔20A制程工艺的客户。在近日的财报会议上，高通新任CEO安蒙表示，高通今天有两个战略合作伙伴——台积电和三星，也非常兴奋和高兴英特尔成为高通的代工厂，这对美国半导体业来说是个好消息，弹性供应链只会使高通业务受益。不过，安蒙称，目前还没有具体的产品计划。
三星展示全球首个3nm SRAM芯片：基于MBCFET技术，写入电压低至230mV
三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出这种工艺，目前关于此工艺的消息甚少。不过，近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上，首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，并公布了3GAE工艺的一些细节。
揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
Intel、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节点的新型全栅场效应晶体管（GAA FET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或2023年开始。
