标签： GAA晶体管

12月17日消息，来自“复旦大学微电子学院”的消息显示，该校周鹏团队针对具有重大需求的3nm至5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。据悉，相关成果已经在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。