非易失性存储芯片厂商普冉半导体科创板IPO获证监会批准
6月22日晚间，据“证监会发布”披露，已同意普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉半导体”）的科创板首次公开发行股票注册。普冉半导体即将登陆科创板。
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江苏时代全芯首款PCM产品交付，第二款PCM产品NOR FLASH发布
2019年12月16日，江苏时代全芯存储科技股份有限公司（AMT）举办的AMT&AMS首款PCM产品EEPROM交付、第二款产品NOR FLASH发布会圆满落幕。此次活动AMT邀请了淮安市副市长赵权先生，淮阴区委副书记、代区长陈张先生以及来自各地的客户代表、终端应用企业以及行业内专家，共同围绕半导体产业发展及产品应用进行交流，体验第四代先进存储技术的出众效果。
两家芯片设计企业闯关科创板，晶丰明源去年主板上市被否
性能差异化为卖点，富士通这三大技术要成存储黑马
在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上，富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新就富士通对非易失性存储器的策略以及创新方向为大家做了分享。“FRAM（铁电存储器）用于数据记录；NRAM（碳纳米管存储）用于数据记录和电码储存, 还可替代NOR Flash；ReRAM（电阻式记忆体）可替代大容量EEPROM。”在详细介绍富士通三大存储技术之前，冯逸新首先介绍了它们各自的市场定位，三大各具独特性能的存储技术有望在各类电子产品市场中扮演黑马角色。
