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三星研发4F² DRAM储存单元结构,面积最高可减少30%

5月26日消息,据韩国媒体The Elec报道,存储芯片大厂三星组建了一支专业团队,负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构,在不改变制程下,4F² DRAM 储存单元结构芯片面积最高可减少达 30%。