三星：2025年后将进入3D DRAM时代
4月2日消息，据外媒Semiconductor Engineering报导，三星电子近日在半导体产业会议Memcon 2024上表示，2025年后将进入3D DRAM时代。
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走向垂直：Gate All around、3D DRAM、3D NAND
10月16日消息，据semianalysis报道，大型私营半导体设备公司所剩无几，其中最突出的两家是日本国际电气（Kokusai Electric ）和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司，都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言，情况非常简单，用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
美国公司公布3D X-DRAM技术：230层堆栈，容量提升8倍！
5月5日消息，全球NAND Flash闪存早已经进入3D时代，这也使得其容量比相比2D时代得到了大幅的提升，但成本却并没有提高多少。相比之下，DRAM内存还停留在2D，需要大容量DRAM就需要支付更多的成本。近日，美国NEO半导体公司宣布推出了全球首款3D DRAM，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。
3D DRAM正加速商业化
3月20日消息，据韩国媒体businesskorea报道，全球DRAM领导厂商三星电子和SK海力士正在加快推进3D DRAM的商业化。有业内人士认为，3D DRAM将改变存储器行业的游戏规则。不过，在DRAM行业排名第三的美光自2019年以来就已经开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。
DRAM，加速走向3D
随着10nm制程的临近，使其在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM存储单元的缩放正在放缓。
