英特尔发力晶圆代工市场，台积电/三星压力山大！
标签： 10nm FinFET
三星展示基于Exynos 8895芯片的VR一体机
在本月出巴塞罗那举办的MWC上三星推出了配备Exynos 8895系统芯片的独立VR头盔。有报告显示，三星为该设备打造了几种模型来向客户展示Exynos 8895系统芯片的性能，同时推进三星在未来无线VR头盔上采用自家新款旗舰SoC芯片的想法。
2017年旗舰机标配！骁龙835规格全面解析：性能提升27%，功耗降低40%
高通新一代旗舰级处理器骁龙835即将于CES开幕之初发布，原定于1月6日做主题宣讲，但是这次高通的保密工作做得有点差，昨天相关的PPT就已经出现在了网络上，详细规格已被曝光，今天网上又出现了骁龙835的官方新闻稿，再次确认了规格信息。
三星正式宣布量产10nm工艺，明年初发布10nm FinFET芯片
今天三星在首尔正式宣布，三星已经开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一，领先台积电和Intel。
ARM Cortex-A73核心针对16nm进行优化，价格将更便宜
ARM之前反复表示，10nm工艺是Cortex-A73核心的最佳拍档。不过无论台积电还是三星，10nm新工艺都要到明年才会基本成熟，而完成10nm 的Cortex-A73处理器最快也得明年年底了。
