英特尔发布首款硅自旋量子芯片Tunnel Falls：基于12吋CMOS工艺，良率达95%！
继去年10月英特尔宣布成功以现有硅基半导体技术生产自旋量子计算芯片之后，当地时间6月15日，英特尔正式发布了一款名为“Tunnel Falls”的硅基自旋量子芯片，虽然只有12量子位元（quantum bit），但这是英特尔尝试开发出超越竞争对手计算硬件的关键一步。
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自旋电子器件制造工艺获新突破
近日，美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。
推动摩尔定律超越2025，英特尔展示封装、晶体管和量子物理学关键技术突破
12月12日消息，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公布了其在不懈推进摩尔定律的过程中，在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术突破：即通过混合键合（hybrid bonding）将在封装中的互连密度提升10倍以上，晶体管微缩面积提升30%至50%；在全新的功率器件和内存技术上已取得重大突破；基于物理学新概念所衍生的新技术，在未来可能会重新定义计算。
疫情之下，英特尔全球供应链稳定！Xe独显即将上市，明年量产7nm
4月9日下午，英特尔在线上召开了主题为“智存高远·IN擎未来”的2020英特尔中国媒体纷享会，介绍了在新冠疫情之下，英特尔对于未来科技产业发展机遇的看法，并首次提出了“智能X效应”概念，分享了英特尔在“六大技术支柱”上的最新成果，以及在未来技术上最新研究进展。
芯片性能提升5倍，能耗降低30倍！英特尔要用自旋电子技术“复活”摩尔定律！
据外媒报道，英特尔近日已在“自旋电子学”的技术领域取得新进展。当地时间本周一，英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员在《自然》杂志上发表的一篇论文中，公布了他们的自旋电子学研究进展。该论文的第一作者是英特尔组件研究小组的项目负责人Sasikanth Manipatruni。
英特尔自旋电子技术取得突破：芯片体积将缩小80%，能耗可降低97%！
目前芯片制程已经越来越逼近了物理极限。而芯片制程要继续往3nm甚至是1nm制程推进将面临更多的困难。另外，从工艺迭代所需的时间以及所带来的效益提升来看，按照摩尔定律似乎已经开始失效。而为了推动摩尔定律在未来的继续前进，以及可能的后摩尔时代的到来。英特尔很早就开始积极研究自旋电子等新技术。据外媒报道，英特尔近日已在“自旋电子学”的技术领域取得进展。
