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据台湾经济日报报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。供应链透露，有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管（FinFET），台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构。