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IBM研发出新型绝缘体:可提升7nm、5nm芯片性能

7nm、5nm芯片性能爆发!IBM研发出终极绝缘体
IBM在近日于美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会(International Reliability Physics Symposium,IRPS)上发表了新型绝缘体,该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN),号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。