标签： 垂直传输场效应晶体管

根据外媒报导，在美国加州旧金山举办的IEDM 2021 当中，IBM与三星共同推出了名为垂直传输场效应晶体管(VTFET) 技术。该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式进行流通，如此可使得晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在1nm制程设计上所面临的瓶颈。